产品型号:2N5486G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (uA):8000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (uA):20000门极－源极雪崩电压VGSS Min (V):25输入电容CISS Max (pF):5反向最大传递电容CRSS Max (pF):1沟道极性:N封装/温度(℃):TO92/-65~150价格/1片(套):￥1.20
2N5486G是一款晶体管，属于半导体器件中的场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），特别是一种N沟道JFET（结型场效应管）。该器件的技术参数是衡量其性能和应用范围的重要指标。下面将详细解释这些参数的含义及其在实际应用中的作用。
1. 零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (uA): 8000
这个参数表示当门极电压为零时，源极和漏极之间的最小漏电流。在2N5486G中，这个值为8000微安。漏电流是JFET在未被控制的情况下允许通过的电流，随着门极电压的增加，漏电流会减小。
2. 零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (uA): 20000
IDSS Max 是在零门极电压条件下，源极和漏极之间允许的最大电流。这个数值表明了器件在没有门极电压控制时的最大电流能力。对于2N5486G来说，这个值为20000微安。
3. 门极－源极雪崩电压VGSS Min (V): 25
VGSS Min 是门极到源极的雪崩击穿电压的最小值，这个参数定义了器件在正常工作时，门极和源极之间能承受的最大电压而不发生雪崩击穿。25伏的门极－源极雪崩电压意味着在超过这个电压时，器件可能会进入非线性工作状态或受到损坏。
4. 输入电容CISS Max (pF): 5
CISS是门极和源极之间的输入电容，包括结电容和体电容。这个值表示在特定电压下，门极与源极之间存储的电荷量。较小的CISS有利于高速开关应用，因为电容的充放电时间会影响开关速度。
5. 反向最大传递电容CRSS Max (pF): 1
CRSS是门极到漏极的反向传输电容，代表了门极电压变化对漏极电流的影响。这个参数对器件的频率响应特性有影响，1皮法的CRSS表明在反向偏置条件下，门极到漏极之间的电容较小，有助于高速操作。
6. 沟道极性:N
这表示2N5486G是一个N沟道JFET，意味着在门极和源极之间施加负电压时，可以开启沟道，允许电流从源极流向漏极。
7. 封装/温度(℃): TO92/-65~150
TO92是器件的封装类型，是一种常见的三引脚塑料封装。工作温度范围是-65到150摄氏度，这表示器件可以在这一范围内稳定工作。
8. 价格/1片(套): ￥1.20
这是单片2N5486G的价格，适用于预算和成本计算。
2N5486G的主要用途可能包括用作电子电路中的开关、放大器或电压控制电流源。这些技术参数对于设计者选择适合特定应用的FET至关重要，因为它影响了器件的开关性能、线性度、稳定性以及电源效率。了解这些参数有助于优化电路设计，确保器件在预期的工作条件下高效、可靠地运行。
