摘要：分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾，介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构，分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理，介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。关键词：内建横向电场；耗尽层；导通电阻；短路安全工作区NewTypeofHighVoltageMOSFETCHENYong-zhenAbstract:ThecontradictionbetweenwithstandvoltageandonresistanceofhighvoltageMOSFETisanalyzed,Itsstructionwithhorizontalorientationele
