厚度对碳纳米管复合阴极场发射性能的影响

尽管低功函数材料已被广泛用于涂覆碳纳米管（CNT）阴极以改善场发射性能，但除少数实例报道了一些相互矛盾的观察结果外，很少有关于涂层厚度影响的报道。 因此，在本文中，我们采用LiF / Al的低功函数材料涂覆CNT阴极，从而能够精确控制涂覆膜的厚度，并系统地研究了膜厚度对CNT复合材料场致发射器件场致发射性能的影响。 （FED）。 观察到了场发射性能与阴极膜厚度之间的非单调关系，并且对于Al层厚度为1 nm的CNT复合阴极，最先进的性能得到了最佳证明。 根据实验数据和分析，发现非单调趋势与厚度依赖性电阻的行为非常吻合，因此主要归因于复合阴极的电导。 另外，具有Al层的FED的改进的稳定性和照明均匀性归因于增加的有效发射位点和保护了坚固的发射器。 掺有低功函数材料LiF / Al的CNT阴极的优越性能证明了其在真空电子器件中的潜在应用，涂层的优化厚度对于增强CNT复合阴极的场发射非常重要。