烧结温度对Co掺杂ZnO稀磁半导体性能的影响 (2013年)

通过溶胶―凝胶法制备了Co掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒,利用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计等测试手段对Co掺杂ZnO稀磁半导体样品进行了结构和磁性表征。结果表明,随着烧结温度的升高,样品的固溶度逐渐增加。当样品的烧结温度为800℃时,样品为单相的ZnO结构。磁性测试结果表明,Co掺杂ZnO稀磁半导体在室温下具有铁磁性。