氧化亚铁硫杆菌的诱变机理研究 (2010年)

研究氧化亚铁硫杆菌（T.?菌）的生长特性以及在紫外线作用下的诱变机理。用20W的紫外灯对距离30cm的T.?菌液照射300s，每间隔15S测量一次T.?菌液的氧化还原电势以及pH，分别绘制出其与时间的变化关系。紫外线照射240s时，T.?f菌的氧化还原电势和pH分别达到303mV和1.98的最佳值。研究结果表明，经过紫外线诱变强化的T.?菌具有更好的生物刻蚀能力，氧化亚铁硫杆菌的细菌浓度和氧化活性有较大的提高，刻蚀加工的金属零件轮廓更清晰。