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压强对GaSb/GaAs 量子点形貌各向异性的影响
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InAs / GaSb量子阱系统中杂化隙的电场依赖性
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标题所指的知识点:“InAs/GaSb量子阱系统中杂化隙的电场依赖性”涉及的是量子阱中电子态的特性,特别是InAs和GaSb材料构成的量子阱系统。量子阱是二维材料,电子限制在这些层状材料的薄层中。InAs/GaSb量子阱系统之...
通过光致发光证明稀铋GaSb / AlGaSb单量子阱中的浅阶梯状界面
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PDcalculatorv2:该程序计算并绘制了 GaSb、GaAs、InAs 和 InSb s 的相应相图-matlab开发
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基于InAs_GaSb的二类、断带半导体量子阱中载流子的量子态.pdf
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