显示显示/光电技术中的基于单片机的光电技术中的基于单片机的LED显示屏硬件设计方案显示屏硬件设计方案
摘要： 设计使用宏晶科技的8 位单片机STC12C5A60S2 作为中央控制器， 结合NAND 闪存芯片K9F4008 存储
汉字库的8×128 点阵LED 数字屏， 该点阵LED 数字屏具有存储信息后离线显示的功能。可应用到多种显示环
境，尤其像汽车等移动工具上的脱机显示环境。 自上世纪90 年代以来， 随着LED 显示技术设计制造水平
的不断提高，LED 数字屏逐渐在生产和生活中大量使用，LED 数字屏以其特有的显示介质， 在大面积， 全天
候， 高亮度和超高亮度显示屏领域凸现优势。LED 显示技术发展的十几年中， 新器件和新技术不断采用， 制
造成本逐渐降低， 生产分工不断细化， 但大量应用
摘要： 设计使用宏晶科技的8 位单片机STC12C5A60S2 作为中央控制器， 结合NAND 闪存芯片K9F4008 存储汉字库的
8×128 点阵LED 数字屏， 该点阵LED 数字屏具有存储信息后离线显示的功能。可应用到多种显示环境，尤其像汽车等移动工
具上的脱机显示环境。
自上世纪90 年代以来， 随着LED 显示技术设计制造水平的不断提高，LED 数字屏逐渐在生产和生活中大量使用，LED
数字屏以其特有的显示介质， 在大面积， 全天候， 高亮度和超高亮度显示屏领域凸现优势。LED 显示技术发展的十几年中，
新器件和新技术不断采用， 制造成本逐渐降低， 生产分工不断细化， 但大量应用的同时也暴露出LED 显示技术的若干缺陷，
总体上技术尚未成熟， 标准尚未完全建立， 有许多方面值得进行更深入的研究与改进。
随着大规模集成电路的迅猛发展， 微处理器的运算、控制能力大大增加， 单片计算机已在很多工业及民用系统中承担智
能化的任务， 与迅猛发展的运算速度相比， 其端口扩展能力则逊色得多（ 数目有限且扩展困难）， 因此研发过程中不得不在
节省端口上投入大量精力， 目前国内为解决端口扩展问题可采用软件处理的方式，这样加重了软件编写的难度，或采用扩展
端口的专用芯片。这两种方法将引起软件成本的提高或硬件电路复杂度的提高，不利于一些小型系统的研
发，STC12C5A60S2单片机具有多种串行传输模式， 在一定程度上解决了这个矛盾。
LED 数字屏应用非常广泛， 不仅能显示文字， 还能显示各种图形、图表， 甚至各种动画效果， 是广告宣传、新闻传播
的有力工具。
本文采用STC12C5A60S2 单片机、接口NAND 闪存和上位PC 机，实现了对16×128 点阵LED 数字屏的控制。
1 芯片选型芯片选型
1.1 屏体屏体
由于屏体是商业成品， 因此系统芯片的选型首选为能与屏体配合的芯片。屏体自备电源， 能直接将蓄电池的能量转变为
5 V 的直流电源， 并且这个电源也通过屏体的接口电缆输出到系统板上。因此系统可直接引用该电源， 不必自备电源电路。
1.2 单片机单片机
综合考虑屏体和系统需求， 选用国内宏晶科技生产的单时钟/机器周期（1T） 的单片机STC12C5A60S2。
STC12C5A60S2 是新一代高速8051 单片机， 其指令代码完全兼容传统8051, 但速度快8~12 倍。内部集成MAX810 专用
复位电路， 其工作电压范围是3.5 V~5.5 V,满足要求的电压。由于是单周期的8051 （ 传统8051 是12 周期）， 可选择较易于
获得准确波特率的11.059 2 MHz晶振， 而不必担心工作速度降低。
STC12C5A60S2 有60 KB 的用户应用程序空间，256 B的RAM 和1024 B 的XRAM.能满足程序代码的需求和缓冲区定义
的需求。另有与程序存储空间独立的一片闪存区域， 可在应用编程中作EEPROM 使用。
STC12C5A60S2 有双UART 以及ISP 串口， 串口资源足够系统使用。另外通过宏晶科技提供的软件， 使用UART 可很容
易地实现程序下载。STC12C5A60S2 有36个通用I/O 口， 大部分可位控， 并具有强推挽输出的能力， 足够系统使用。
STC12C5A60S2 有4 个16 bit 定时器和一个独立的波特率发生器， 另外还有两个PCA 模块， 能获得丰富的定时器资源。
STC12C5A60S2 有PDIP-40 封装的芯片， 易于快速进入实验。
1.3 闪存闪存
因为16 ×16 点阵的汉字库容量在250 KB 左右， 而MCS51 的寻址空间只有64 KB.接口大于64 KB 容量的普通存储芯片就
必须进行总线扩展， 采用两次锁存地址的方法来读写， 既需要复杂的电路， 又占用较长的存取时间。同样，NOR 闪存与
EPROM 的引脚结构相类似， 有同样的接口复杂性， 成本也十分高。要实现单片机与字库芯片的简单接口（ 不需扩展） , 只
能选用串行结构的存储器或命令、地址和数据复用总线结构的存储器。
串行结构的存储器多为EEPROM, 没有很大的容量， 不适合做字库芯片。因此只有选用命令、地址和数据复用总线的
NAND 闪存作为字库存储芯片。
字库所需的容量不大， 但最好能5 V 供电， 且编程的缓存要求较小的芯片。SAMSUNG 公司出品的K9F4008W 是一款
512 KB 的NAND 闪存， 仅有8 个IO端口， 且工作电压范围较广（3 V~5.5 V）， 可以兼容3 V 和5 V 的硬件系统， 并且帧编
程时仅需要32 B 的缓冲， 正适合作为字库存储的芯片。
因此， 闪存芯片的可电擦写特性页非常适用于需要更换字库的场合。故该芯片是十分理想的汉字库存储器。
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