Sn（O1-xNx）（2）的光电性能的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一原理，使用量子化学从头算软件WIEN2K对Sn（O1-xNx）（2）材料的光电性能进行了研究。 分析了状态密度，能带结构，磁性，介电函数和折射率。 结果表明，随着氮取代氧的掺杂浓度的增加，能带隙变窄，然后增加，当氮浓度为12.50％时，Sn（O1-xNx）（2）的能带隙最窄。 由于N 2p轨道的电子的贡献，在0.55-1.05 eV的范围内出现低的受主能级，并且在价带和导带中出现了能级分裂和轨道重叠。 Sn-O键比NO键强。 根据磁性，磁矩由N个原子决定。 我们知道，从介电函数的虚部看，光吸收边缘变宽了。 主跃迁峰发生红移，折射率对应于与电子跃迁有关的介电函数。