GaAs纳米线上的多壳InAs量子点的制备和光学性质

结合纳米线和量子点的混合纳米结构促进了具有集成功能的纳米电子和纳米光子器件的发展。 在这项工作中，我们提出了一个复杂的纳米结构，在纳米线上生长了多壳量子点。 通过金属有机化学气相沉积，在GaAs纳米线的侧壁上生长1-4个Stranski-Krastanov InAs量子点的壳。 不同的点壳被8 nm GaAs隔离壳隔开。 随着壳层数量的增加，量子点变得稀疏并倾向于排列成一个阵列，这是由于点倾向于生长的刻面收缩以及由影响点的量子点的下一组点所产生的应变场引起的。 In原子的迁移。 由于增强的应变场耦合，量子点的大小随壳数的增加而增加。 多壳点的光谱显示出多波长发射，并且每个峰对应于一个点壳。 这种混合结构可以用作纳米线中带太阳能电池，红外纳米激光和光电探测器中的有前途的元素。