InP比GaAs更先进。磷化铟（InP）半导体材料同硅和砷化镓材料相比具有高的 电光转换效率，高的电子迁移率，高的工作温度，以及强抗辐射能力的特点，因而 在民用和军事领域的应用广泛，例如在太赫兹(THz)、激光器、太阳能电池、光电探 测器和光纤网络系统等领域，包括入户光纤和数据中心传输，以及目前正在大力发 展的5G移动网络等，这些都给InP衬底材料带来巨大的市场前景。InP半导体材料具 有宽禁带结构，并且电子在通过InP材料时速度快，这意味着用这种材料制作的器件 能够放大更高频率或更短波长的信号。例如，在卫星领域，利用InP芯片制造的接收 机和放大器就可以获得100GHZ以上的频率。另外，In
