收稿日期 :2006-05-02
基金项目 : 国家自然科学基金资助项目(50674027)
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作者简介 : 王淑兰(1959 - ) ,女 ,辽宁喀左人 ,东北大学教授 ,博士
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第 28卷第4 期
2007年 4 月
东北大学学报( 自然科学版)
Journal of Northeastern Uni versity
(
Natural Science
)
Vol
.28 ,
No
.4
Apr
.2007
二氧化硅电脱氧反应的交流阻抗谱
王淑兰 , 张 华 , 庄立军
(东北大学理学院,辽宁沈阳 110004)
摘 要 : 采用交流阻抗等电化学技术研究了
SiO
2
在等物质的量
CaCl
2
和
NaCl
熔盐中的电脱氧反应
·
交
流阻抗谱表明 ,
SiO
2
电脱氧为单质硅的反应是两步反应 ,与循环伏安曲线上的两个还原电流峰相符合
·
电脱
氧后电极产物的
XRD
分析证实 ,在反应体系存在着下列中间物 :
SiO
,
CaSiO
3
和
Ca
2
SiO
4
·
通过拟合交流阻抗谱
与等效电路 ,得到
SiO
2
电脱氧反应的电荷传递电阻、双电层电容和活化能
·
在低电压范围内 ,电荷传递电阻和
活化能均随阴极电压的增加而降低 ,表明
SiO
2
电脱氧反应的速度控制步骤是电荷传递过程
·
本研究工作对提
高
SiO
2
电脱氧过程的电流效率有重要意义
·
关 键 词 : 二氧化硅 ;电脱氧 ;交流阻抗谱 ;机理
中图分类号 :
TF
803 .27 文献标识码 :
A
文章编号 : 1005-3026(2007)04-0537-04
AC Imp edance Spectrum of Electro
-
d e oxidation Re a ction of
Silicon Dioxide
WANG Shu
-
lan , ZHANG Hua , ZHUANG Li
-
jun
(Sch oo l of Sc iences , N ortheastern Uni versity , Shenyang
110004
, China , Correspon dent : WANG S hu
-
lan ,
professor , E
-
mail : shu lanw
@
hotmail .com)
Abstract :
A C i mpedance spectrum was used to study the electro
-
deoxidation reaction of silicon
dioxide in the equ almolar m olten salt Ca C l
2
and NaCl . The A C impedance sp ectra show ed that the
electro
-
deoxidation reaction of silic on dioxide is a two
-
ste p re ac ti o n and corre s p on din g to th e tw o
redu c ti o n c urrent pe a ks in the c y c lic v o lta m m etr y cu rve . In the XRD patt ern th e interm e d ia te s
SiO , CaSiO
3
and Ca
2
SiO
4
were f o u nd in the re a cti o n sy ste m .By fittin g the A C im ped an ce s p ectra
with e quivalent circuits , the charg e transfer resistance , double layer capacitance and activation
e ner g y d urin g the re a ctio n were obtain ed . In the l o w v olt ag e range the c harg e tra nsfer resistan c e
andactivationenergydecreasewithincreasingcathodicvoltagewhichimpliesthatchargetransfer
is the rate control step o f the electro
-
de oxidatio n of SiO
2
. The results of the stud y are i m p o rtan t
to i mpro ve the current efficiency in the electro
-
deoxidationprocessofsilicondioxide.
Key words :
sili co n d io xide ; e l ectr o
-
de oxidation ;AC impedance spectrum ; me chanism
单晶硅材料是信息社会的基石 ,集成电路是
通往信息时代之路
·
以硅材料为基础的集成电路
技术占集成电路的 90 % 以上
[1]
;硅太阳能电池已
成为人造卫星、宇宙飞船和行星际站等宇宙飞行
中的主要辅助电源
[2]
·
硅主要是在接近 1 700 ℃的高温下通过系列
均相和非均相
SiO
2
的碳热还原反应制得
[3]
,该方
法冶炼温度高、向大气中排放大量危害环境的
CO
及
CO
2
气体
·
2000 年剑桥大学提出一种短流
程且无污染的金属冶炼方法(称为
FFC
法) ,目 前
已经用于研究钛、铌等的冶炼过程
[4 - 6]
·
2003 年
日本学者
N ohi ra
首次在自然材料上报道用石英
作阴极、利用
FFC
法制备单质硅 ,采用电极引线
与绝缘体
SiO
2
多圈缠绕的连接方法 ,在石英电极
与引线和电解质接触的界面上生成了单质硅
[7]
·
因为
FF C
法的主要问题是电流效率比较低 ,电流
效率又与反应过程所经历的途径即反应机理及生
成的中间物有关
·
因此 ,本文采用交流阻抗谱等电
化学技术研究
SiO
2
的电脱氧过程
·
1 实验过程
将分析纯的
CaCl
2
在573
K
干燥 24
h
,
NaCl
在723
K
干燥 12
h
,按 1∶1(物质的量)称取干燥
后的两种盐混和均匀
·
用高纯石英玻璃(2
mm