具有垂直高斯掺杂分布的短沟道薄型全耗尽绝缘体上硅MOSFET的电势和阈值电压的解析模型

研究论文
0 下载量 177 浏览量 2021-03-13 18:10:12 上传 评论 收藏 2.39MB PDF 举报
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