通过基于密度泛函理论的第一性原理计算, 对光催化水解半导体Ag2 ZnSnS4的改性方案做了理论研究. 在与同类化合物的带边位置比较后发现, Cu与Ge共掺杂能够在Ag2 ZnSnS4中实现禁带宽度和带边位置的双重调节, 从而使其能带结构优化到光催化水解最为理想的状态. 另外, CuGaSe2 可与Ag2 ZnSnS4形成type-II型带阶结构,制备它们的异质结同样可用于提升其光催化水解性能.
评论星级较低，若资源使用遇到问题可联系上传者，3个工作日内问题未解决可申请退款~
