Yb

通过甘氨酸燃烧法制备了Yb3+/Li+共掺的Y2O3纳米颗粒，研究了940 nm半导体激光器激发下的Yb3+ 1 μm附近的光致发光光谱，结果表明1 μm附近的荧光峰在共掺Li+的摩尔分数为5%时达到最强，比不掺杂Li+离子时增强了大约12倍。分析了X射线主衍射峰的移动，结果表明Li+离子的掺杂改变了Yb3+离子的晶体场环境。求解了稳态速率方程，结果表明荧光增强的主要原因是掺杂的Li+离子扰乱了发光中心Yb3+离子在Y2O3晶格中的环境，打破了发光跃迁选律，致使4f组态内电偶极跃迁增强，电偶极跃迁振子强度增大，从而导致基态吸收截面的增大。