利用晶体中的沟道研究强场QED中的双光子发射

我们研究了一个高能电子所发出的两个光子的二阶过程，该电子穿戴在晶体平面之间发现的强背景电场中。 结合超相对论电子的强结晶场是极少数情况下可以在电子的静止框架中通过实验获得史维杰场的情况之一。 发出的辐射，即所谓的通道辐射，是一种经过充分研究的现象。 但是，到目前为止，仅研究了对应于单个光子发射的一阶图。 我们详细说明了如何从两步法与一步法来理解两光子发射过程，即，如果一个人可以考虑一个光子在另一个光子之后发射，或者如果在 两个光子“同时发射”。 从计算出的全概率中，我们看到两步贡献只是单光子发射概率的乘积，而附加的单步项主要是由于几种可能的中间虚拟状态引起的干扰。 当晶体很薄时，这些术语会发挥重要作用。 因此，此外，我们看到，对于一个厚的晶体，我们可以通过忽略一步项来快速计算多个光子发射，这代表了晶体中量子辐射反应问题的一种解决方案，超出了通常应用的恒定场近似 。 我们明确地计算出一个薄硅晶体中有180个GeV电子的例子，并指出为什么出于实验原因，在晶体实验中看到一步贡献比在激光实验中更可行。