功率半导体业的意法半导体推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT）,新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH）,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内,应用的整体功率可望提高到一个新的水平,远胜标准技术的MOSFET。
开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低,使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工作,带来降低功耗、提高可靠性、缩小电路板空间等优点。
在芯片的单位面积性能方面,ST的新IGB
意法半导体作为全球知名的功率半导体制造商，近期推出了一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT）产品，这些新品在元器件应用领域特别是在节能灯镇流器的设计中展现了卓越的性能提升，为能效改进提供了新的可能性。新系列IGBT采用了先进的寿命控制工艺，显著降低了器件在关断阶段的能耗，这在追求高效能、低功耗的现代电子设备中具有重要意义。
这些IGBT新品如STGxL6NC60D 600V PowerMESH，特别适用于工作频率超过20kHz的高频应用，例如节能灯镇流器。相比于传统的MOSFET技术，它们可以显著提升整体系统的功率水平，优化能源转换效率。这得益于IGBT的开关性能改进，使得它们在硬开关拓扑和谐振电路中表现出更高的竞争力。由于关断能耗的降低，设计工程师可以在不增加额外复杂性的前提下，使用小型缓冲电容器来保证在较低结温下的稳定工作，从而实现更低的功耗、更高的系统可靠性，同时减小了电路板空间的需求。
在芯片的单位面积性能上，意法半导体的新IGBT技术展现出了强大的优势。它们能够在更小的封装内提供相同的甚至更高的功率处理能力，这对于降低整体系统成本和提升设备集成度至关重要。此外，新产品的独特之处在于内置了一个超快速软恢复二极管，这种设计增强了器件对高dV/dt（电压变化率）的耐受能力，使得新产品在面对瞬态电压波动时表现得更为稳定，这对于高频操作的场合尤其关键。
STGxL6NC60D系列包含了四个不同产品型号，提供了多样化的功率封装选择，包括TO-220、TO-220FP、DPAK和D2PAK，以满足不同应用需求和设计灵活性。这些新IGBT适用于各种高频功率应用，不仅限于70W-150W的高频镇流器，还包括开关电源、功率因数校正器以及其他高频功率切换设备。
意法半导体的这项技术创新将推动节能灯镇流器和其他相关领域的能效提升，同时降低了系统成本，提升了产品性能。对于设计工程师来说，这不仅是一个优化现有设计的机会，也是开发新一代高效电子设备的重要工具。通过采用这些新型IGBT，工程师们可以构建出更加节能、可靠且紧凑的解决方案，符合当前对绿色和可持续发展技术的市场需求。
