绝缘栅型场效应管（Insulated Gate Field Effect Transistor，IGFET），通常指的是金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），是一种利用半导体表面的电场效应来控制电流的电子器件。MOSFET的栅极与半导体之间由一层绝缘体（通常是二氧化硅）隔开，因此有很高的输入电阻，一般大于1000MΩ（即1GΩ）。这种结构极大地减少了栅极电流，从而使得MOSFET具有非常高的输入阻抗，使其非常适合用于高输入阻抗的应用。
根据工作特性，MOSFET主要分为增强型（Enhancement type）和耗尽型（Depletion type）两大类：
1. 增强型MOSFET：在VGS（栅源电压）等于零时，漏源之间不存在导电沟道。为了使器件开始导电，需要通过正向偏置的VGS来吸引电子，形成导电沟道。这种类型的MOSFET工作时需要开启电压VT，只有当VGS超过VT时，器件才能导电。
2. 耗尽型MOSFET：VGS为零时漏源之间已存在导电沟道。正向或负向的VGS都可以改变沟道的厚度，从而控制漏极电流iD。耗尽型MOSFET可以用于在零偏压下控制电流。
以N沟道增强型MOSFET为例，其结构与符号主要由以下几个部分组成：
- 一块P型半导体基底，其上扩散两个N型区域，作为漏极和源极。
- 表面覆盖一层二氧化硅绝缘层，作为栅极介质。
- 栅极引出电极，连接外部电路。
工作原理说明：
- 当VGS=0时，漏极和源极之间没有导电沟道，因为器件内部至少存在一个PN结反偏，所以漏源之间无法形成电流iD。
- 当VGS大于零时，栅极下方的二氧化硅绝缘层中会产生电场，排斥P型半导体中的多子空穴，同时吸引N型半导体中的少子电子。随着VGS增加，P型半导体表面形成由电子组成的反型层，此时漏极和源极之间形成导电沟道。
- 当VGS达到开启电压VT时，反型层形成，沟道导电性增强，漏极电流iD随着VDS（漏源电压）的升高而增大。
- 如果VGS继续增大，而VDS也增大到一定程度，靠近漏极的沟道将被夹断，形成夹断区。在这种情况下，即使VDS继续增加，漏极电流iD保持不变。
符号方面，N沟道和P沟道的MOSFET使用不同的符号来表示，以区分它们的导电类型和工作特性。N沟道器件通常用箭头指向内部表示电子流动的方向，而P沟道器件则相反。
需要注意的是，在实际应用中，MOSFET的性能受到诸多因素的影响，如电压和温度的变化、工艺差异等，因此，合理设计电路并充分理解MOSFET的工作原理和特性对于确保电路的可靠性和性能至关重要。
