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《电子技术基础》试题171
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2022-08-04
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1 、 在 硅 或 锗 本 征 半 导 体 中 掺 入 三 价 元 素 , 形 成 半 导 体 2 、 基 本 放 大 电 路 确 定 后 , 计 算 静 态
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2018/9/17
http://zlgc.jxust.edu.cn/main/zdjskc/dzjsjc/ljnr/kcxt/st17.htm 1/5
南 方 冶 金 学 院 考 试 试 题
考试科目___________________________ 考试日期___________________
班级_________ 学号_________ 姓名__________ 成绩__________
一、基本题(每小题4分,共计40分)
1 、 在 硅 或 锗 本 征 半 导 体 中 掺 入 三 价 元 素 , 形 成 ____________________ 半 导 体 ; 掺 入 五 价 元 素 形 成
______________________半导体。
2 、 基 本 放 大 电 路 确 定 后 , 计 算 静 态 值 的 方 法 ____________________________; 计 算 动 态 值 的 方 法
_________________________________________。
3、射极输出器的输出电阻比共发射极放大电路的输出电阻_________________;输入电阻比共发射极放大电路的输
入电阻________________________________。
4 、 放 大 电 路 的 负 反 馈 的 类 型 有 ____________________ 、 __________________ 、 _______________________ 、
____________________;放大电路引入负反馈的根本目的是___________________________。
5、运算放大器工作在线性区时,分析的两条依据是_____________________________。
6、正弦波振荡电路通常包含三部分电路________________、____________________、
___________________________。
7 、 有 一 单 相 桥 式 整 流 滤 波 电 路 , 其 输 出 U
0
=36 伏 , I
0
=1.5 安 , 流 过 二 极 管 的 电 流
I
D
=______________________________;二极管的反向电压U
DRM
______________________。
8 、 两 个 同 型 号 的 TTL 与 非 门 器 件 , 甲 器 件 的 开 门 电 平 U
ON
=1.6 伏 , 乙 器 件 的 开 门 电 平 U
ON
=1.4 伏 , 则
_______________ 器 件 的 抗 干 挠 能 力 较 强 。 甲 器 件 的 关 门 电 平 U
OFF
=0.9 伏 , 乙 器 件 的 关 门 电 平 U
OFF
=1.1 伏 , 则
____________________器件的抗干扰能力较强。
9、写出逻辑表达式的化简结果
化简结果______________________。
10、将J-K解发器转换为T
/
触发器,试画出逻辑图。
二、试用相位条件判别图示电路能否产生自激振荡。(8分)
(a) (b)
三、判别图示电路中的直流负反馈和交流的负反馈类型。(8分)
四、在图示电路中U
CC
=12
V
,Rc=2
K
,R
E
=2
k
,R
B
=300
k
,β=50,r
ke
=1
k
。试求(12分)
(1)画出微变等效电路图。
湯姆漢克
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