A20 NAND支持列表

标题与描述：“A20 NAND支持列表” 在深入解析这份文档之前，我们首先明确文档的主要目的是为使用Allwinner A20解决方案的用户提供建议，帮助他们选择合适的NAND闪存芯片。这份文档详细列出了由Allwinner Technology CO., Ltd.测试和支持的NAND闪存设备列表，涵盖了三星（Samsung）、海力士（Hynix）以及美光（Micron）等主要供应商的产品。值得注意的是，未在此列表中的供应商和产品并未得到支持。 ### 重要概念与缩写 文档中涉及的关键术语包括： - **SLC（Single-Level Cell）**：单层单元技术，每个存储单元保存1位数据，具有更快的读写速度和更长的寿命。 - **MLC（Multi-Level Cell）**：多层单元技术，每个存储单元可保存2位数据，相较于SLC提供了更高的存储密度，但读写速度和寿命有所降低。 - **√**：表示该设备已经过测试并获得支持。 - **×**：表示不支持该设备。 - **SNT**：表示虽然支持但尚未进行测试。 - **RTC**：客户服务中心请求，可能意味着需要额外的支持或定制服务。 ### NAND闪存设备支持详情 #### 三星（Samsung） - K9GBG08U0A、K9GAG08U0E、K9GBG08U0B、K9LCG08U0A：这些型号均采用MLC技术，支持1个CE（芯片使能）和1个RB（读/写缓冲区），容量分别为4GB、2GB、4GB、8GB，制程分别为27nm、27nm、21nm、21nm，均已通过测试并支持。 #### 海力士（Hynix） - H27UBG8T2ATR、H27UBG8T2BTR、H27UBG8T2CTR、H27UCG8T2ATR、H27UAG8T2BTR、H27UCG8T2MYR、H27UBG8T2M：所有型号均基于MLC技术，支持1个CE和1个RB，容量覆盖2GB至8GB，制程从32nm到20nm不等，所有型号均已通过测试并支持。 #### 美光（Micron） - MT29F64G08CBA、MT29F32G08CBA：这两款产品均为MLC技术，支持1个CE和1个RB，容量分别为8GB和4GB，制程均为25nm，已通过测试并支持。 ### 结论与建议 根据文档中的信息，对于寻求使用Allwinner A20解决方案的用户，建议优先考虑文档中标注的闪存型号，尤其是那些被标记为蓝色的，因为它们是市场上较新且常见的型号。同时，应避免选择未在列表中提及的供应商和产品，以免遇到兼容性和技术支持方面的问题。 这份文档对于嵌入式系统设计者、硬件工程师以及任何需要为A20平台选择合适NAND闪存芯片的人来说，都是一份宝贵的资源。它不仅提供了详细的设备支持信息，还明确了哪些型号经过了实际测试，从而大大降低了选型过程中的不确定性和风险。