本篇文档涉及的主要知识点包括热扩散制备技术、红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片、平面PN结、锑化铟(InSb)材料、等离子增强化学气相淀积(PECVD)、以及非晶氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)薄膜的应用。
热扩散技术是一种半导体制造工艺，用于形成PN结，即半导体器件中不同导电类型的区域界面。它是通过在半导体材料表面引入杂质原子，并利用热能驱动这些原子扩散进入材料内部，从而改变材料的导电类型，形成所需的电学特性区域。
红外焦平面阵列探测器(IRFPA)是一种利用半导体材料检测红外辐射并转换成电信号的器件，广泛应用于军事、医疗、科学研究等领域。IRFPA通过成千上万的微小探测单元（像元）组成一个平面阵列，每个单元能够感应不同波长的红外辐射，并转换为电信号，进而形成图像。
PN结是半导体器件中的基本结构，由P型半导体和N型半导体接触区域组成，具有整流作用，是各种半导体器件（如二极管、晶体管等）的基础。平面PN结指的是这种PN结的结构被制备成一个平面，便于与集成电路集成。
锑化铟(InSb)是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有优异的电学和光学特性，尤其在中波红外（MWIR）探测器应用中表现出色。它具有较窄的能带隙、高的电子迁移率和良好的热导性。
等离子增强化学气相淀积(PECVD)是一种在等离子体增强条件下进行化学气相沉积的技术。通过此技术可以沉积出各种电介质薄膜，如非晶硅（a-Si）、非晶氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)等，这些薄膜在半导体制造过程中作为掩膜材料或者钝化层。
非晶氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)是非晶态的电介质材料，它们在半导体芯片制造中有着广泛的应用。这些薄膜可以作为掩膜材料在热扩散工艺中阻挡杂质扩散，也可以作为钝化层来保护器件免受环境因素的破坏。
文档中提到的掩膜材料的选择和制备是热扩散工艺中的关键步骤。传统光刻胶无法耐受热扩散所需的高温，而耐高温的光刻胶如聚酰亚胺，在高温条件下会发生亚胺化现象，导致去除困难，并可能对器件造成损害。因此，需要选择新型的掩膜材料，这种材料需要具有良好的离子阻挡能力、耐高温性能、可行的制备工艺以及易于去除的特性。
基于等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺制备的SiO2和SiON薄膜，由于其良好的耐热性和易于去除的特性，被选为热扩散工艺中的掩膜材料。这些薄膜在热扩散过程中可以精确控制杂质原子的扩散区域，从而获得高质量的平面PN结。最终，基于热扩散工艺制备出的InSb红外焦平面芯片具有较好的性能特性曲线。
