标题“多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法”涉及到的关键知识点有：多芯片封装、陶瓷封装、结-壳热阻、热阻分析方法。这些术语通常与电子封装设计、热管理、以及封装技术紧密相关。在详细说明这些知识点之前，我们需要了解它们在整个半导体封装行业中的作用和重要性。
半导体行业为了满足系统集成度高、小型化、低成本的要求，系统级封装（System in Package，简称SiP）越来越受到关注。SiP集成两颗或以上具有不同功能的芯片，以及无源器件、MEMS等，可能是2D排布或三维堆叠的形式。对于高集成度的SiP产品，由于芯片数量多，散热问题变得尤为关键，因为热管理不良会导致芯片过热，影响性能甚至损坏。
接下来具体分析文件中提到的关键知识点：
多芯片封装（Multi-chip packaging）：
在SiP中，多芯片封装指的是将多个芯片封装在一个封装体内，这有助于实现更高的系统集成。但是，多芯片封装同时带来了散热上的挑战。由于存在多颗芯片，它们之间以及芯片与封装体之间的热耦合可能影响系统的热特性。因此，精确测量和分析多芯片封装的热特性是至关重要的。
陶瓷封装（Ceramic packaging）：
陶瓷封装因其良好的气密性和机械强度，被广泛应用于航空航天等对环境适应性要求极高的领域。在多芯片封装技术中，陶瓷封装通常用于封装多芯片系统，以确保芯片在极端环境下的稳定性能。
结-壳热阻（Junction-to-case thermal resistance）：
结-壳热阻是指从芯片结点到封装外壳的热阻抗。结点通常指的是芯片内部的半导体材料和外壳之间的接触面，而外壳是封装的外部保护层。热阻是衡量材料或结构阻碍热流传递能力的参数，其数值大小直接影响到芯片的散热效率。在多芯片封装中，结-壳热阻的分析对于优化散热设计以及维持芯片在安全温度运行非常重要。
热阻分析方法：
热阻分析方法是指用于测量和计算电子封装中热流动路径的热阻值的一系列技术。在多芯片陶瓷封装中，为了完整地表征散热特性，需要采用热阻矩阵来描述。热阻矩阵涉及多个芯片之间的热相互作用，为设计者提供了在不同工作条件下热特性变化的详细信息。热阻分析方法包括有限元仿真和瞬态热阻测试等。
文档中提到的作者们采用不同尺寸的专用热测试芯片制作多芯片陶瓷封装样品，通过有限元仿真和瞬态热阻测试方法分析样品的散热特性，最终获得封装的热阻矩阵。这意味着他们能够对不同尺寸的芯片以及芯片之间的耦合效应进行详细分析，确保了封装设计能够满足散热需求。
关键词部分也点明了文章的核心内容，即多芯片封装、陶瓷封装、热阻、热仿真和热阻测试，这些关键词不但体现了文档的中心思想，同时也概括了热分析在现代半导体封装技术中的重要地位。
综合上述内容，本文档所介绍的分析方法不仅对电子封装行业在散热方面的设计和测试提供了一种标准化的方法，而且还对提高封装效率、降低热阻、优化系统性能提供了理论和技术支持。这对于硬件开发工程师在设计高性能、高密度封装产品时，具有重要的参考价值。
