电子：小米发布引爆市场，GaN有望高速增长.pdf

氮化镓（GaN）是一种第三代宽禁带半导体材料，相较于传统的硅材料，具有更高的电子迁移率、更佳的热导性和更高的击穿电压。在电子行业中，GaN材料在快充充电器、射频器件和功率器件等领域表现出了显著的性能优势和市场潜力，有望实现高速增长。 快充充电器方面，GaN材料的应用显著提升了充电效率。GaN充电器较旧式硅充电器在运行速度上有20倍的提升，且能实现高出三倍的功率输出。由于GaN充电器的小巧、高效率以及低发热特性，在市场上得到了广泛应用，虽然目前价格相对较高，但随着技术的进步和生产规模的扩大，成本有望进一步下降，从而使GaN成为未来主流的快充技术。 在射频器件领域，GaN技术也有着重要的应用前景。得益于其大带隙特性，GaN可以大幅降低导通电阻并能在高温下工作，使其在5G通信中具备了很大的应用优势。预计2023年GaN射频器件市场规模将达到13亿美元，显示出广阔的市场增长空间。 功率器件是GaN技术另一大应用方向，尤其是在低压市场。据预测，GaN在154亿美元的功率器件市场中，约有68%的低压市场为其潜在市场，市场价值可达到105亿美元。GaN充电器在电源设备市场中已先行一步，未来在无线充电、电源开关、逆变器、交流器等领域的应用也有望加速渗透。 在国内市场，以三安光电为代表的国内企业正在加速布局GaN生产线，并投入大量资源进行研发和生产，显示出中国企业对于GaN市场的重视以及积极的市场布局策略。随着5G技术的推广和应用，以及国家对于第三代半导体器件的扶持政策，国内企业在GaN技术上的发展有望取得突破。 投资建议方面，分析师预测，到2025年全球GaN充电器市场规模将增长至213.8亿元，建议关注积极布局第三代半导体产业链的国内企业如三安光电。三安光电作为化合物半导体国产替代的龙头企业，通过不断加大投入和成立新项目，有望在5G环境下增长的射频器件需求中获得利益。 不过，投资GaN行业也需注意风险因素。如宏观经济形势恢复不及预期、5G建设进度不如预期等都可能对GaN市场造成不利影响。 整体而言，随着技术的成熟和市场的接受度提高，GaN技术在快充充电器、射频器件和功率器件领域的应用前景广阔，预计将会经历一个高速增长期。随着国内外厂商的持续投入和市场推动，GaN技术有望在未来几年内成为电子行业的关键技术之一。