### 8550中文芯片手册知识点概览 根据所提供的“8550中文芯片手册”的标题、描述、标签及部分内容,我们可以总结出以下几个关键的知识点: 1. **芯片型号与类型**:此芯片手册主要介绍了S8550系列的高电压晶体管,为PNP型。 2. **主要特性**:包括功率耗散、集电极电流、集电极-基极电压等关键参数。 3. **电气特性**:提供了不同测试条件下的最小值、典型值和最大值,如击穿电压、截止电流等。 4. **分类标准**:根据直流电流增益(HFE)的不同范围进行了分类。 ### 详细解读 #### 1. 芯片基本信息 - **芯片型号**:S8550 - **类型**:高电压晶体管,PNP型 - **封装形式**:TO-92 (S8550) / SOT-23 (S8550LT1) #### 2. 主要特性 - **功率耗散(Power Dissipation, PCM)**: - 对于S8550:在环境温度25℃时,最大功率耗散为0.625W。 - 对于S8550LT1:在环境温度25℃时,最大功率耗散为0.225W。 - **集电极电流(Collector Current, ICM)**:最大集电极电流均为0.5A。 - **集电极-基极电压(Collector-Base Voltage, V(BR)CBO)**:击穿电压均为40V。 - **特征**(Features): - **尺寸**(Die Size):对于S8550LT1,其晶粒尺寸为0.44*0.44mm。 #### 3. 电气特性 - **击穿电压**(Breakdown Voltage): - **集电极-基极击穿电压**(Collector-Base Breakdown Voltage, V(BR)CBO): - S8550:最小值为40V; - S8550LT1:最小值为30V。 - **集电极-发射极击穿电压**(Collector-Emitter Breakdown Voltage, V(BR)CEO): - S8550:最小值为25V; - S8550LT1:最小值为21V。 - **发射极-基极击穿电压**(Emitter-Base Breakdown Voltage, V(BR)EBO): - S8550:最小值为5V; - S8550LT1:最小值为5V。 - **截止电流**(Cut-Off Current): - **集电极截止电流**(Collector Cut-Off Current, ICBO/ICEO): - S8550:最大值分别为0.1μA和0.2μA; - S8550LT1:最大值分别为1.0μA和100nA。 - **发射极截止电流**(Emitter Cut-Off Current, IEBO): - S8550:最大值为0.1μA; - S8550LT1:最大值为100nA。 - **直流电流增益**(DC Current Gain, HFE): - S8550: - VCE=1V, IC=50mA时,典型值为85-300; - VCE=1V, IC=500mA时,典型值为50。 - S8550LT1: - VCE=1V, IC=150mA时,典型值为120-400; - VCE=1V, IC=500mA时,典型值为40。 - **饱和电压**(Saturation Voltage): - **集电极-发射极饱和电压**(Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat)): - S8550:最大值为0.6V; - S8550LT1:最大值为500mV。 - **基极-发射极饱和电压**(Base-Emitter Saturation Voltage, VBE(sat)): - S8550:最大值为1.2V; - S8550LT1:最大值为1.2V。 - **基极-发射极电压**(Base-Emitter Voltage, VBE): - S8550:典型值为1.4V; - S8550LT1:典型值为1.0V。 - **转换频率**(Transition Frequency, fT): - S8550:最小值为30MHz,最大值为150MHz。 #### 4. 分类标准 - **直流电流增益(HFE)分类**: - S8550:分为B/C/D三档,范围分别为85-160、120-200、160-300。 - S8550LT1:分为B9C/B9D/B9E三档,范围分别为120-200、160-300、280-400。 “8550中文芯片手册”详细地介绍了S8550系列晶体管的主要特性和电气特性,这对于设计电路、选择合适的晶体管型号以及进行电路调试都具有重要的参考价值。通过对这些技术参数的理解和掌握,可以有效地利用S8550系列晶体管完成各种电子产品的开发和设计工作。
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