• 重点内容 – 64KB 专用 RAM
– 275-MHz, 500-MHz, 600-MHz, or 720-MHz – 仿真/调试
ARM® Cortex™-A8 32-位RISC 微控制器• JTAG
• NEON™ SIMD 协处理器• 嵌入式跟踪模块
• 具有单错检测（奇偶校验）的32KB/32KB • 嵌入式跟踪缓冲器
L1 指令/数据高速缓存– 中断控制器(高达128 个中断请求)
• 具有错误纠正码(ECC) 的256KB L2 高速缓• 片载存储器(共享L3 RAM)
存– 64 KB 通用片载存储器控制器(OCMC) RAM
– 支持移动双倍速率同步动态随机存储器– 所有主机均可访问
(mDDR)（低功耗DDR (LPDDR)）/DDR2/DDR3 – 支持快速唤醒保持
– 支持通用存储器(NAND，NOR，SRAM，等)支• 外部存储器接口(EMIF) 持高达16 位ECC
– mDDR/DDR2/DDR3 控制器： – SGX530 3D 图形引擎
• mDDR: 200-MHz 时钟频率(400-MHz 数据速– LCD 控制器
率)
– 可编程实时单元和工业用通信子系统(PRU- • DDR2： 266-MHz 时钟（532-MHz 数据速ICSS) 率）
– 实时时钟(RTC) • DDR3： 303-MHz 时钟（606-MHz 数据速
– 最多2 个具有集成物理层的USB 2.0 高速OTG 率）
端口• 16-位数据总线
– 支持最多2 个端口的10/100/1000 以太网交换机• 1GB 全部可寻址空间
– 串口包括： • 支持1 x 16 或者2 x 8 存储器器件配置
• 2 个控制器局域网端口(CAN) • 支持快速唤醒保持
• 6 个UART，2 个McASPI，2 个McSPI，和3 个 I2C 端口 – 通用存储器控制器 (GPMC)
• 具有多达7 芯片(NAND，NOR，复– 12 位逐次逼近寄存器(SAR) ADC 用NOR，SRAM等) 选择的灵活8/16-位异步
– 3 个32 位增强型捕捉模块(eCAP) 存储器接口
– 3 个增强型高分辨率PWM模块(eHRPWM) • 使用BCH 编码以支持4-位，8-位，或者16-
– 加密硬件加速器(AES，SHA，PKA，RNG) 位ECC
• 使用海明码（Hamming）以支持1-位ECC
• MPU 子系统– 错位定位器模块(ELM)
– 275-MHz，500-MHz，600-MHz，或者720-MHz • 与GPMC 联合使用，使用BCH 算法以定位
ARM® Cortex™-A8 32-位RISC 微处理器由校验多项式生成的数据错误的地址
– NEON™ SIMD 协处理器• 基于BCH 算法，每512 字节块错误定位支持
– 具有单错检测（奇偶校验）的32KB L1 指令高4-位，8-位，和16-位
速缓存• 可编程实时单元和工业用通信子系统(PRU-ICSS)
– 具有单错检测（奇偶校验）的32KB 数据高速缓– 支持的协议包括
存EtherCAT®，PROFIBUS，PROFINET，Ether
– 含纠错码（ECC）的256KB L2 高速缓存Net/IP™，和其它更多协议
– 176KB 片载启动ROM – PRU-ICSS 内的外设
1
Please be aware that an important notice concerning availabi
