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带隙基准电压源设计
带隙基准电压源设计
带隙基准
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毕业设计 带隙基准电压源设计 bandgap
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电压基准源设计ADC中基准电压源CMOS带隙基准电压设计论文资料10篇合集.zip
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一种带隙基准电压源设计
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一种带隙基准电压源的设计与仿真
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设计了一款带隙基准电压源,基于0.18μm的CMOS工艺,在Hspice下仿真,仿真结果表明,温度在-25~80℃内变化时,温度系数为9.14×10-6℃;电源电压在3~5 V之间变化时,基准电压在1 250±43 mV内变化,满足设计要求。
宽输入、高电源电压抑制的带隙基准电压源设计
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带隙基准电压源(Bandgap)设计范例
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一个高性能带隙基准电压源的设计
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设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性;采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明,电路温度系数为3.3 ppm/℃,在电源电压2.7~3.6 V范围内输出仅变化18μV左右。
一款新颖的带隙基准电压源设计
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基于TSMC0.5μmCMOS工艺,设计了一款带隙基准源电路。与传统电压基准相比,该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈。采用嵌套式密勒补偿,设计的低温漂、高电源抑制、低功耗的带隙基准电压源。仿真结果显示,该电路所产生的基准电压精度为13.2×10-6/℃,低频时的电源抑制为-98dB,静态工作电流为3μA。
CMOS带隙基准电压源的设计
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CMOS带隙基准电压源的设计、电子技术,开发板制作交流
一种新型带隙基准源设计
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在对传统一阶补偿带隙基准分析的基础上,提出了一种新型高阶补偿技术,并应用该技术设计了一款在宽温度范围内具有低温度系数的曲率补偿电压基准。基于VIS 0.15 μm BCD工艺对提出的电路结构进行了设计与仿真。仿真结果表明,该基准电路的输出电压平均值为539 mV;在宽温度范围(-60 ℃~120 ℃)内,温度系数为1.40 ppm/℃;环境温度为27 ℃,电源电压在1.3 V~2.1 V范围内时,
0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计
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带隙基准电压源.pdf
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带隙基准电压源pdf,由于电压基准源的上述特性,其在集成电路的设计中扮演极其重要的作用。尤其各种DAC,ADC,传感器芯片,检测芯片,电源管理类等芯片中广泛使用!
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
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介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果...
一种带隙基准电压源设计与修调方法研究
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传统的带隙基准一般温度系数在20~100 ppm/°C,无法满足高精度的要求。本设计利用Cadence,Hspice等工具,对传统基准源电路进行改进,最终采用了放大器反馈方式的Brokaw结构,通过修调电路修调之后可以获得温度系数在4.5 ppm/°C以下,在工业级温度范围内误差小于±0.1%的2.5 V高精度带隙基准电压源。利用上海华虹NEC的BCD180工艺在Cadence下通过了仿真验证。
0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计[图]
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低压CM0S带隙基准电压源设计
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本文首先对传统的带隙电压源原理进行分析,然后提出了一种比较廉价且性能较高的低压带隙基准电压源,采用电流反馈、一级温度补偿技术设计了低压CMOS带隙基准源电路,使其电路能工作在较低的电压下。本文介绍这种带隙电压基准源的设计原理,给出了电路的仿真结果,并对结果进行了分析。并基于CSMC 0.5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真,得到理想的结果。
一种低电压带隙基准电压源的设计
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本文给出了一个低电压供电时的带隙基准电压源电路的设计方法。该电路通过对传统带隙基准电路的改进,使输出基准电压在600 mV仍然能满足零温度系数。
BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用
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电源技术中的一种低电压带隙基准电压源的设计
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低温漂高抑制比带隙基准电压源设计
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带隙基准电压源的总体电路图
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本文介绍了一款高性能带隙基准电压源的总体电路图。本电路采用Chartered0.35靘CMOS工艺实现,采用3.3V电源电压,在-40~100℃范围内,达到低于6ppm/℃的温度系数,在1kHz和27℃下,电源抑制比达到82dB.
高精度CMOS带隙基准源的设计
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介绍了带运放的的Bandgap的设计,并使用cadence ic5141对其进行仿真。
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