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at45DB161D_中文资料

Flash

5星 · 超过95%的资源需积分: 10 11 下载量 17 浏览量 2014-12-18 16:47:23 上传评论收藏 342KB DOC 举报

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16页

关于16M的Flash资料，详细介绍该芯片的存储映射，操作码以及数据读写的流程，可以对比同系列的芯片，配合单片机以及ARM进行存储开发！

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SPI 接口的 FLASH ROM AT45DB161D 的驱动方法

（1）芯片介绍

AT45DB161D 是串行接口的闪存芯片，可工作在 2.5V~2.7V，可广泛应用于数据语

音、图像、程序代码数据存储中。AT45DB161D 支持 RapidS 串行接口，适用于高速场

合。RapidS 串行接口是与 SPI 相兼容的，速度可达到 66MHz。它包含有 17,301,504 个

位，被组织为 4096 个页，每个页 512 或 528 个字节。除了主存储器，AT45DB161D 还

包括两个 SRAM 数据缓冲区，每个缓冲区 512/528 个字节。在主存储器正在编程时，缓

冲区是允许接收数据的，并且支持数据流式写入。与并行 FLASH 储存器不同，它采用

RapidS 串行接口，从而大大减少了可用引脚数量，同时也提高了系统可靠性，降低了开

关噪声，缩小了封装体积。可以应用于商业、工业等需要高密度、低引脚数、低电压与低

功耗的应用场合。

AT45DB161D 允许简单的在系统重新编程，而无需输入高编程电压。芯片可以采用

2.5V~3.6V 或 2.7V~3.6V 单电源供电，进行编程与读取操作。它可以通过#CS 来进行

使能，并通过三线接口（SI、SO、SCK）进行数据通信。

（2）引脚配置与封装

1.芯片封装图

2.引脚功能详述

符号名称与功能有效电平类型

#CS

片选：#CS 用以选中芯片。当#CS

LOW

输入

被设置为无效状态时，芯片则不被

选中，并且处于闲置状态（不是深

度睡眠状态），输出引脚 SO 处于

高阻态。当芯片未被选中时，从输

入引脚 SI 输入的数据将不被接受。

#CS 引脚上的下降沿将会启动一个

操作，而上跳沿则会结束一个操

作。在一个内部操作如芯片内部的

编程或擦除周期内，芯片不会进入

闲置状态，直到操作完毕。

SCK

串行时钟：此引脚用来向芯片提供

时钟信号，有来控制数据流的出

入。SI 引脚上的命令、地址与输入

数据在时钟 SCK 的上升沿被写入，

而 SO 引脚上的输出数据则在时钟

的下降沿变化。

输入

串行输入：SI 引脚用来向芯片以移

位方式写入数据。SI 引脚上的所有

数据输入包括命令与地址。SI 上的

数据在时钟的上升沿写入芯片。

输入

串行输出：SO 引脚用来从芯片以移

位方式输出数据。SI 上的数据在时

钟的下降沿变化。

输出

#WP

写保护：当#WP 被设置为有效时芯

片的扇区将被保护起来，以防止编

程与擦除对数据的破坏。但是扇区

保护使能与扇区死锁命令仍然可以

被芯片识别。#WP 引脚在内部被拉

高，可以悬空。但是仍然建议在外

部接到 V

。

LOW

输入

#RESET

复位：#RESET 引脚上的低电平会

终止正在处理的操作并复位内部状

态机到闲置状态。#RESET 引脚上

的低电平会使芯片一直处于复位状

态。当#RESET 上转为高电平后，

才能进行正常的操作。

芯片内部设置上电复位电路。当此

引脚不用时，外部接到高电平。

LOW

输入

RDY/

#BUSY

就绪/忙碌状态指示：此引脚是漏极

开路的输出引脚。当芯片处于忙状

态时（内部操作过程中）此引脚为

低电平，此引脚在正常状态下为高

电平（外部接上拉电阻）。当正在

输出

进行编程/擦除操作，比较操作与

页-缓冲区传送时，被拉低。

忙状态指示 FLASH 储存阵列与某一

个缓冲区不能被操作，而对另一个

缓冲区的读与写操作仍然可以进

行。

芯片电源供给

电源

GND

地：此引脚应与系统地接在一起。

地

（3）AT45DB161D 的功能框图：

（4）存储器阵列：

AT45DB161D 的储存器阵列被分为 3 个级别的粒度，分别为扇区、块与页。下面的

“存储器结构图”对各个级别进行了分析，详细说明了每个扇区与块的页数。所有的编程操

作都是针对于页的。擦除操作可以作用于芯片、扇区、块或页。

扇区结构：

（扇区 0A）＝8 页 4096 /4224 字节

（扇区 0B）＝248 页 126,976/130,944

字节

（扇区 1 ）＝256 页 131,072/135,168

字节

（扇区 2 ）＝256 页 131,072/135,168

字节

……

（扇区 14）＝256 页 131,072/135,168

字节

（扇区 15）＝256 页 131,072/135,168

字节

块结构：

块 0 扇区 0

块 1

块 2

……

扇区 1块 30

块 31

块 32

块 33

……

扇区 2

块 62

块 63

块 64

块 65

……

块 510

块 511

页结构：

页 0

块 0

页 1

……

页 6

页 7

页 8

块 1

页 9

……

页 14

页 15

页 16

……

页 17

页 18

……

页 4093

页 4094

页 4095

（5）芯片操作：

芯片的操作是通过单片机的指令来完成的。指令列表与指令操作码在后面的“指令表”

中有详细的说明。一个有效的指令由#CS 的下降沿来指示它的开始，随后是一个有意义的

8 位操作码与缓存区或主存储器的地址。当#CS 为低时，由时钟 SCK 引脚来控制由 SI 引

脚写入的操作码与缓存区或主存储器的地址。所有的指令、地址与数据在传输时都是高位

在前的。

528 字节模式下，缓冲区中数据的地址由 BFA9~BFA0 来表示。主存储器中数据的

地址由 PA11~PA0 与 BA9~BA0 来表示， PA11~PA0 用来表示 12 位页地址，

BA9~BA0 表示 10 位的页内字节地址。在 512 字节模式下，缓冲区中数据地址由

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草原牧心

2020-05-25

很不错的资料，可以下载使用

斩V风

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