霍耳电势V
H
与I
、
B的乘积成正比,而与d成反比。于
是可改写成:
电流密度
j=nqv
n—N型半导体
中的电子浓度
N型半导体
P型半导体
—霍耳系数,由载流材料物理性质决定。
ρ
—材料电阻率
p—P型半导体
中的孔穴浓度
μ
—载流子迁移率,
μ
=
v
/E,即单位电场强度作用下载流子的平均
速度。
金属材料,电子
μ
很高但
ρ
很小,绝缘材料,
ρ
很高但
μ
很小。
故为获得较强霍耳效应,霍耳片全部采用半导体材料制成。