WXT系列中文手册.pdf

"WXT系列中文手册.pdf" 本文档主要介绍了WMT系列在线式测试模组的测试原理和操作流程。WMT系列是Semilab公司的一种在线式测试模组，广泛应用于光伏和半导体行业硅片的质量控制，电池工艺过程质量控制，以及实验室和试验线的研发。提供了无接触、无损伤的全自动连续测试和快速的数据处理。 1. 简介 WMT系列是Semilab公司无接触硅片电阻率（涡流法）、厚度（电容法）和P/N型号（表面光电压法）连续在线测试模组。WMT提供1‐3点连续测试，并可以根据需要自动分类，模组测试速度快、精度高且重复性好。广泛应用于硅片厂商的出厂检验、自动分选以及电池厂商的来料质量控制。 2. 原理 2.1 涡流法电阻率测试原理 涡流法测试电阻率过程示意图如图2-1所示。样品放置在对中的传感元件或换能器之中，换能器为施加高频磁场的高磁导率的磁体。硅在高频磁场中产生感生电流，此电流的流通方向呈闭合漩涡状，称涡电流或涡流。样品中的涡流消耗能量，为保持高频振荡器的电压不变，高频电流将增加。样品电阻越低，高频电流的增量越大，呈反比。测量电流值，可以获得样品的方块电阻或电阻率。 2.2 电容法厚度测试原理 电容法厚度测量的基本原理就是平板电容器的电容计算公式：对于由两个平行导体平板组成的、中间是空气的电容器，其电容与平板的面积成正比，与两平板间的间距成反比。在测量硅片的厚度时，硅片与测试电极构成一个电容器：硅片是一个导体平板，测试电极是另一导体平板，而且测试电极到硅片下表面的距离是固定的。由于硅片是导电的，因此硅片越厚，该电容器两平板之间的空隙就越小。依据这个原理，就可以通过测得的电容计算出硅片的厚度。Semilab的WMT测试模组是在传送皮带不停止的情况下进行厚度测量的。在此情况下，硅片没有接地，因此单侧电容测量是不适合的。Semilab使用自己的、拥有完全独立知识产权的双侧电容测量技术进行厚度测量。 2.3 表面光电压法P/N测试原理 通常情况下，无论何种型号的半导体，表面都被自然氧化层覆盖，其表面处于耗尽状态。因此半导体材料的表面势垒的极性也表征了材料类型。表面势垒的极性可以通过一种非接触式表面光电压的测量方法测得。该方法使用一斩波激光：通过强光照射产生过剩载流子，过剩载流子的存在削减了表面势垒，即趋向平带状态。光照射引起的势垒变化通过一个表面耦合电容探头测得。PN型号是由光照射产生的表面势垒的变化的极性推得的。 Semilab公司是专业的测试设备制造商，提供了WMT系列在线式测试模组，其应用于光伏和半导体行业硅片的质量控制，电池工艺过程质量控制，以及实验室和试验线的研发。 Semilab公司的WMT系列在线式测试模组具有无接触、无损伤的全自动连续测试和快速的数据处理功能，可以满足不同行业的需求。