1.开关电源设计前各参数
以 NXP 的 TEA1832 图纸做说明。分析电路参数设计与优化并到认证至量产。所有
元器件尽量选择公司现有的或者量大的元件,方便后续降成本。
1、输入端:FUSE 选择需要考虑到 I^2T 参数。保险丝的分类,快断,慢断,电
流,电压值,保险丝的认证是否齐全。保险丝前的安规距离 2.5mm 以上。设计时
尽量放到 3mm 以上。需考虑打雷击时,保险丝 I2T 是否有余量,会不会打挂掉。
2、压敏电阻:图中可以增加一个压敏电阻,一般采用 14D471,也可采用 561,直
径越大抗浪涌电流越大,也有增强版的 10S471,14S471 等,一般 14D471 打
1KV,2KV 雷击够用了,增加雷击电压就要换成 MOV+GDT。有必要时,压敏电阻外
包个热缩套管。
3、NTC:图中可以增加个 NTC,有的客户有限制冷启动浪涌电流不超过 60A,30A,
NTC 的另一个目的还可以在雷击时扛部分电压,减下 MOSFET 的压力。选型时注
意 NTC 的电压,电流,温度等参数。
4、共模电感:传导与辐射很重要的一个滤波元件,共模电感有环形的高导材料
5K,7K,0K,12K,15K,常用绕法有分槽绕,并绕,蝶形绕法等,还有 UU 型,分 4
个槽的 ET 型。这个如果能共用老机种的最好,成本考虑,传导辐射测试完成后
才能定型。
5、X 电容选择:需要与共模电感配合测试传导与辐射才能定容值,一般情况为
功率越大 X 电容越大。
6、如果认证有输入 L,N 的放电时间要求,需要在 X 电容下放 2 并 2 串的电阻给
电容放电。
7、桥堆的选择:一般需要考虑桥堆能过得浪涌电流,耐压和散热,防止雷击时
坏掉。
8、VCC 启动电阻:注意启动电阻的功耗,主要是耐压值,1206 一般耐压 200V,0805
一般耐压 150V,能多留余量比较好。
9、输入滤波电解电容:一般看成本的考虑,输出保持时间的 10mS,按照电解电
容容值的最小情况 80%容值设计,不同厂家和不同的设计经验有点出入,有一点
要注意普通的电解电容和扛雷击的电解电容,电解电容的纹波电流关系到电容寿
命,这个看品牌和具体的系列。
10、输入电解电容上有并联一个小瓷片电容,这个平时体现不出来用处,在做传
导抗扰度时有效果。
11、RCD 吸收部分:R 的取值对应 MOSFET 上的尖峰电压值,如果采用贴片电阻需
注意电压降额与功耗。C 一般取 102/103 1KV 的高压瓷片,整改辐射时也有可
能会改为薄膜电容效果好。D 一般用 FR107,FR207,整改辐射时也有改为 1N4007
的情况或者其他的慢管,或者在 D 上套磁珠(K5A,K5C 等材质)。小功率电源,
RC 可以采用 TVS 管替代,如 P6KE160 等。
12、MOSFET 的选择,起机和短路情况需要注意 SOA。高温时的电流降额,低温时
的电压降额。一般 600V 2-12A 足够用与 100W 以内的反激,根据成本来权衡选
型。整改辐射时很多方法没有效果的时候,换个 MOSFET 就过了的情况经常有。
13、MOSFET 的驱动电阻一般采用 10R+20R,阻值大小对应开关速度,效率,温升。