清华大学VLSI设计导论
本资源摘要信息来自清华大学VLSI设计导论课件第四章：逻辑设计技术。该章节主要介绍了MOS管的串、并联特性和逻辑门的实现。
第一节 MOS管的串、并联特性
在MOS管的串联和并联中，驱动能力是用其导电因子β来表示的，β值越大，其驱动能力越强。多个管子的串、并情况下，其等效导电因子应如何推导？在两管串联的情况下，等效导电因子可以用以下公式表示：
βeff = β1 β2 / (β1 + β2)
在N个管子串联的情况下，等效导电因子可以用以下公式表示：
βeff = β1 β2 … βN / (β1 + β2 + … + βN)
在两管并联的情况下，等效导电因子可以用以下公式表示：
βeff = β1 + β2
在N个管子并联的情况下，等效导电因子可以用以下公式表示：
βeff = β1 + β2 + … + βN
第二节 各种逻辑门的实现
逻辑门是数字电路的基本组成部分，包括与非门、或非门、与或非门等。这些逻辑门可以用MOS管来实现。
一、与非门
与非门的电路图如图所示。与非门的驱动能力可以用以下公式表示：
βeffn = β’n / 2
βeffp = 2 β’p
在最坏的工作情况下，应使βeffp = β’p = βp，βeffn = β’n / 2 = βn
二、或非门
或非门的电路图如图所示。或非门的驱动能力可以用以下公式表示：
βeffp = β’p / 2
βeffn = 2 β’n
在最坏的工作情况下，应使βeffp = β’p / 2 = βp，βeffn = β’n = βn
三、CMOS与或非门
CMOS与或非门的电路图如图所示。CMOS与或非门的驱动能力可以用以下公式表示：
βeffp = β’p
βeffn = β’n
在最坏的工作情况下，应使βeffp = β’p / 2 = βp，βeffn = β’n / 2 = βn
本章节介绍了MOS管的串、并联特性和逻辑门的实现，包括与非门、或非门和CMOS与或非门。这些知识点对于数字电路设计具有重要的参考价值。
