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图像传感器的光电参数及选择标准
导语:图像传感器可将光信号转化为电信号,其光电参数直接决定了成像质量,是所有成像
设备中的核心关键器件。图像传感器分为 CCD 器件和 CMOS 器件。CMOS 图像传感器在帧频、
集成度、可靠性、功耗和成本等方面优势明显。随着 CMOS 技术的不断进步,CMOS 图像传
感器的成像性能已接近或超越 CCD 器件,在高端工业、医疗、和科研应用中逐步取代 CCD,
成为主流图像传感技术。
无论是 CMOS 或 CCD 图像传感器,其光电参数都可依据业界成熟的 EMVA1288 标准进
行评价。本文将详细阐述图像传感器光电参数的含义,以便为国内成像设备商提供器件选型
的标准。
一、 图像传感器的主要光电参数
CMOS 和 CCD 图像传感器的性能指标可分为光学指标和电学指标,而其成像质量主要
取决于以下光学指标:
分辨率及像元尺寸(Resolution and Pixel size)
快门类型(Shutter Type)
量子效率(Quantum Efficiency, QE)
灵敏度(Sensitivity)
暗噪声(Dark Noise)
满阱容量(Full Well Capacity, FWC)
动态范围(Dynamic Range, DR)
暗电流(Dark Current, DC)
除上述光学指标外,图像传感器的电学指标,如帧频、功耗、输出格式及数据率也是设
计成像系统时需要考虑的重要指标。
1) 分辨率及像元尺寸
图像传感器的感光区是由多个像元排列的一维或二维矩阵,其中像元(或像素)为单个
感光单元。图像传感器的分辨率通常由该矩阵的横纵方向的像元数表示,如 1920 x 1080,
或由其乘积表示,如 2 百万分辨率(2MP)。
像元尺寸为每个像元的物理尺寸,即相邻像元中心的间距。像元尺寸越大,能收集到的
光子数越多,芯片灵敏度越高,意味着在同样的光照条件下和曝光时间内,芯片能收集到的
有效信号越多。在光强可控的工业应用中,像元尺寸一般在 4.5-6.5 微米之间;而在微光应
用中,像元尺寸多在 10 微米到 24 微米之间,以保证足够的灵敏度,提升图像信噪比;在 X
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relotus
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