第7章 存储器的内容主要涵盖了半导体存储器的分类、技术指标以及典型存储器芯片的介绍。存储器是计算机的重要组成部分，它负责存储程序和数据，并与CPU和输入输出设备进行信息交换。
存储器按照其在系统中的位置和访问速度，可以分为内存（内存储器）和外存（外存储器）。内存储器主要由半导体存储器构成，直接与CPU交互，分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。RAM允许随机读写，常见的类型有SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）。ROM则在断电后仍能保持数据，常用在固化的系统程序中。
在技术指标方面，存储器的容量是指存储单元的数量，通常以字或字节为单位。读写速度是衡量存储器性能的重要参数，包括存取时间和存储周期。存取时间是从启动读写操作到完成所需的时间，而存储周期则是连续两次独立操作的最小间隔。此外，可靠性也是关键，涉及存储器对抗环境变化的能力和使用寿命。
接着，介绍了几种典型的存储器芯片：
1. Intel 2114 是一款1K×4位的SRAM，采用六管存储元电路，使用单一+5V电源，与TTL电平兼容。
2. Intel 6264 是8K×8位的SRAM，采用0.8微米的CMOS工艺，具有高速度和低功耗的特点。
3. Intel 51256 是32K×8位的SRAM，设计独特，适用于特定的工作方式。
4. Intel 2164 是64K×1位的DRAM，地址线处理方式特殊，分为行地址和列地址。
5. Intel 41256 是256K×1位的DRAM，存取时间较快，地址线一半用于行地址，另一半用于列地址。
6. Intel 27128 是128K（16K×8位）的EPROM，适合高速应用。
7. 28C64 是E2PROM，相比于EPROM，E2PROM具有更快的编程和擦写速度，且可以按字节擦写。
8. K9F6408U0A 是NAND Flash芯片，数据宽度为8位，采用分时复用技术，内部组织结构为页和块，读写擦操作以页和块为单位。
这些芯片的不同特性和规格满足了不同应用场景的需求，如高速缓存、程序存储、数据持久化存储等。了解并选择合适的存储器芯片对于优化系统性能和设计至关重要。
