【K9F1G08U0B】是一款由三星电子生产的128M x 8位NAND闪存芯片。这款芯片主要适用于数据存储，但需要注意的是，它不推荐用于生命支持、关键医疗设备、安全设备等应用，因为产品故障可能导致生命或人身伤害。
【电压供应】K9F1G08U0B提供3.3V的电压设备，工作电压范围为2.70V到3.60V。这个电压范围确保了芯片在标准电源环境下的稳定运行。
【组织结构】内存单元阵列为(128M + 4M) x 8位，数据寄存器为(2K + 64) x 8位。这意味着该芯片有大量存储空间，并且具有高速的数据处理能力。
【自动编程与擦除】K9F1G08U0B支持自动的页编程和块擦除功能。页编程可以处理(2K + 64)字节的数据，而块擦除则涵盖(128K + 4K)字节。这使得数据写入和清除过程快速高效。
【页读操作】页面大小为(2K + 64)字节，随机读取速度非常快，最大只需25μs。此外，串行访问的最短时间是25ns，这体现了芯片的高速读取性能。
【快速写入周期时间】页编程时间典型值为200μs，块擦除时间未在摘要中详细给出，但通常也是相对快速的过程。这使得K9F1G08U0B适合频繁写入操作的场合。
【修订历史】文档的修订版本为0.01.0，最初的发布日期为2006年5月26日，最终版本发布于2006年9月27日。三星电子保留更改产品规格的权利，并建议用户通过就近的三星办公室获取最新的产品信息或解答相关问题。
【知识产权声明】三星电子明确表示，文档中的信息不构成任何知识产权的授予，无论是明示还是默示。所有信息按“原样”提供，不提供任何形式的保证。
K9F1G08U0B是一款高性能的NAND闪存芯片，适用于需要高速读写和大容量存储的应用，但不适用于对安全性要求极高的领域。它的特性包括稳定的电压操作、高效的编程和擦除机制以及快速的读取速度。不过，用户在使用前应确保了解其限制条件和更新信息，以确保正确应用。
