常用三极管、场效应管参数 600+ 晶体管型号 电压 电流 功率 管子类类型

600+常用三极管、场效应管参数 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 比如这样 9018 30V 0.05A 0.4W * 1G NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 共有600余种，只主要全篇查找即可快速找到自己想要用的三极管参数 在电子工程领域，三极管和场效应管是两种至关重要的半导体器件，广泛应用于电路设计中，特别是放大、开关及控制等应用场景。本篇将详细解释这两种晶体管的主要参数及其重要性。 三极管（BJT）分为NPN型和PNP型，主要由基极（B）、集电极（C）和发射极（E）组成。其关键参数包括： 1. **反向饱和电压Vbe0**：这是基极-发射极间的饱和电压，在特定的基极电流下测量，用于确定三极管的工作状态。 2. **集电极最大电流Icm**：三极管允许通过的最大集电极电流，超过这个值可能会损坏器件。 3. **功率Pcm**：三极管能承受的最大功率，也是安全操作区的界限。 4. **放大系数**：包括电流放大系数β（HFE）和电压放大系数α，它们描述了输入电流或电压与输出电流或电压之间的关系。 5. **特征频率**：表示三极管能够正常工作的最高频率，高于这个频率，三极管的放大性能会下降。 举例来说，9018是一款NPN型三极管，具有30V的反向饱和电压，0.05A的集电极最大电流，0.4W的最大功率，以及1G的特征频率。 场效应管（FET）分为NMOS（N沟道金属氧化物半导体）和PMOS（P沟道金属氧化物半导体）两种，主要由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）构成。场效应管通常作为电压控制器件，因为它的电流由栅极电压决定。 对于场效应管，关键参数包括： 1. **阈值电压Vth**：使FET开始导通所需的栅极-源极电压。 2. **漏极饱和电流Idss**：当栅极电压达到阈值电压时，源极-漏极之间的最大电流。 3. **漏极最大电流Idm**：FET能承受的最大漏极电流。 4. **最大耗散功率Pdm**：器件可以安全处理的最大功率。 5. **栅极-源极击穿电压Vgs(max)**：防止器件损坏的安全栅极-源极电压。 例如，IRFU020是一款NMOS场效应管，具有50V的栅极-源极击穿电压，15A的漏极饱和电流，42W的最大耗散功率。 这些参数对于选择合适的三极管或场效应管至关重要，设计师需要根据应用的需求（如电压等级、电流能力、功率需求和工作频率）来挑选适合的器件。例如，IRF9541是一款PMOS场效应管，适用于需要125W功率处理和60V电压等级的应用，而2SC4582则是一款NPN型三极管，适用于高压、大电流的应用。 理解并掌握三极管和场效应管的参数对于设计高效、可靠的电子系统至关重要。不同的晶体管型号对应不同的性能指标，工程师在设计电路时应仔细评估这些参数，确保器件能在预期的工作条件下稳定运行。