计算机组成原理
SRAM
使用双稳态触发器存储，所以是非破坏性读出，不需要重写，断电后信息消失（易失性），
不需要进行刷新，常用作Cache,行地址和列地址同时送，运行速度快，存储信息使用触发
器。
DRAM：
使用电容存储，所以是破坏性读出，读出后需要重写，需要定时刷新，易失性存储器，通常
用来作主存，行列地址分开送，因为通常DRAM这种存储芯片存储容量比较大，对于 4GB
的内存最少需要32位地址线，所以要使用地址复用技术，所以行地址和列地址分开送地址
线就可以减少一半，技术难度下降。
DRAM的刷新
译码器有行地址译码器和列地址译码器，刷新主要以行为单位，通过硬件的支持，读出一行
数据后重新写入，占用一个读写周期，通过刷新的时间划分，有三种
分散刷新：每次读写完都刷新一行，读写周期变为原来的二倍
集中刷新：在每个刷新周期内集中安排时间全部刷新，这段时间CPU无法访问存储
器，称为访问死区
异步刷新：只要在一个刷新周期内对每一行进行刷新即可，每隔一段时间刷新一
行，刷新的时间同样是访存死区，即把访存死区时间在一个刷新周期内分散开来。
ROM
MROM：掩膜式只读存储器，存储内容由制造厂商之间写入，无法修改。
PROM：一次可编程只读存储器，存储内容由用户通过专门设备直接写入，无法修
改。
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