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第9章IC工艺薄膜物理淀积技术.pptx
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第9章IC工艺薄膜物理淀积技术.pptx
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第九章:薄膜物理
淀积技术
Metal Layers in
a Chip
Multilevel Metalli
zation on a ULSI
W
afer
Passivation
layer
Bondi
ng pad me
tal
p
+
Silico
n substrate
Vi
a
ILD-2
ILD-3
ILD-4
ILD-5
M-1
M-2
M-3
M-4
p
-
Epita
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p
+
ILD-6
LI oxide
S
T
I
n-well
p-well
ILD-1
Poly ga
te
n
+
p
+
p
+
n
+
n
+
LI metal
Copper Met
allization
•
9.1.
薄膜沉积的特点:
page
s 296
•
微电子技术中的薄膜
种类繁多,一般都不
能(也不需要)形成
与衬底晶格匹配的晶
体。形成非晶或多晶
薄膜即可(但要求其
界面的应力足够小)
。其生长的过程大致
为:
•
晶核形成、晶粒成长
、晶粒聚结、逢道填
补、成积膜成长。
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epitaxytech
2024-03-23
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