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集成电路静态缺陷检测系统对MRAM测试实验数据
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2023-04-20
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摘要 数据集包含了使用自己设计的集成电路静态缺陷扫描定位系统用于检测MRAM器件的静态缺陷的激光扫描时的电参数变化数据,通过分析异常芯片的数据和正常芯片对比,确定可能出现异常损伤的区域。
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文中的数据和图.zip (17个子文件)
文中的数据和图
图7 a1 异常1.3英.tif 412KB
图7 a2 异常1.7英.tif 313KB
好的1.36V 0.5mw能量 2000um/s 10间隔,左上横向扫描2.xls 1.83MB
图8 a1 坏的1.3V.png 199KB
图7 b2 正常1.7英.tif 258KB
图7 b1 正常1.3英.tif 359KB
图8 b1 好的1.36V.png 199KB
5X-2.1V-4.1MA-2.bmp 1.22MB
新1.36 0.5mW ,2000UM/S,10间隔,左上横向扫描1.xls 1.8MB
5X-1.6V-1.26MA-2.bmp 1.22MB
好的1.7V 0.5mw能量 2000um/s 10间隔,左上横向扫描1.xls 1.79MB
5X-20S-3.0V-1.bmp 977KB
图8 a2 坏的1.7V.png 199KB
图8 b2 好的1.7V.png 199KB
图 10 a .bmp 1.22MB
5X-1-1.6V-5.0MA-3.bmp 1.22MB
新1.7 0.7mW ,2000UM/S,10间隔,左上横向扫描1.xls 1.81MB
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JGiser
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