富士IGBT手册.pdf

富士IGBT（绝缘栅双极晶体管）手册详细介绍了IGBT模块的构造与特征、术语与特性、应用中的注意事项、发生故障时的应对方法、保护电路设计方法、散热设计方法、门极驱动电路设计方法、并联连接以及评价和测定方法等多个方面的知识点。 IGBT作为一种新型的电力转换元件，它结合了功率MOSFET的高速开关特性和双极型晶体管的高耐压、大电流处理能力。IGBT的理想等效电路是由pnp双极型晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接形成的单片型Bi-MOS晶体管。通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层，IGBT能够在导通状态下实现从p+层向n基极注入空穴，从而具有更低的通态电阻和更好的耐高压、大容量特性。 在应用IGBT时，需要考虑许多实际应用中的注意事项，这包括如何选定IGBT模块、静电对策与门极保护、保护电路设计、散热设计、驱动电路设计、并联连接以及实际安装和保管搬运注意事项。这些操作的正确实施对于保证IGBT模块的性能和寿命至关重要。 对于IGBT的保护电路设计，手册提供了短路（过电流）保护和过电压保护的方法。散热设计方法部分则包括损耗的计算方法、散热器（冷却体）的选定方法以及IGBT模块的安装方法。这些设计方法将帮助系统设计者确保IGBT在安全的温度范围内工作，避免过热造成的损坏。 在门极驱动电路设计方面，手册讲解了驱动条件与主要特性之间的关系、驱动电流的选择、空载时间的设定以及驱动电路设计的具体实例和注意事项。IGBT在并联连接时，需要特别注意电流分配的问题，手册中提出了阻碍电流分配的多种原因，并介绍了并联连接的方法。 当IGBT模块出现故障时，手册也提供了故障判定方法和应对方法，以及典型故障案例的分析。手册还提供了IGBT模块的评价和测定方法，以及这些测试方法的适用范围，供设计和维护人员参考。 手册为使用富士IGBT模块的设计人员和工程师提供了一系列的详细指南和方法，涵盖了从基础知识点到具体应用的各个方面，对于确保IGBT模块的正确应用和长期稳定工作具有重要的指导意义。