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光电检测技术第二 光电成像检测器件节PPT教案.pptx
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光电检测技术第二 光电成像检测器件节PPT教案.pptx
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会计学
1
光电检测技术第
二 光电成像检测
器件节
本章内容及重点
本章内容
光电成像器件的发展、类型&特性
光电成像原理与电视制式
真空摄像管
电荷耦合器件(
CCD
)
金属氧化物半导体型
MOS
传感器件
(CMOS)
重点内容
电荷耦合器件(
CCD
)
难点内容
光电成像原理
电荷耦合器件(
CCD
)
/CMOS
第
1
页
/
共
49
页
§5.1
概述
一、光电成像器件的发展
1934
年,光电像管(
Iconoscop
e
),应用于室
内外的广播电视摄像。灵敏度非常低,需要
10000lx
的照度,达到图像信噪比的要求;
1947
年,超正析像管(
Image Orthicon
),照
度降低到
2000
lx
;
1954
年,视像管,灵敏度&分辨率高,成本低,体
积小,惯性大,不适用于高速运动图像测量,不能
取代超正析像管用于彩色广播电视摄像机;
第
2
页
/
共
49
页
•
1965
年,氧化铅管(
Plumbicon
),成功取代超正
析像管,惯性小,广泛应用于彩色电视摄像机,结构
简单,体积小,灵敏度&分辨率都很高。
•
1976
年,硒靶管&硅靶管,灵敏度进一步提高且成
本更低;
•
1970
年后,
CCD
的出现使光电成像器件进入新的阶
段。体积更小,灵敏度更高,应用更灵活、更方便。
•
1980
年后,
CMOS
集成了半导体芯片工艺,进一步
提高了分辨率
第
3
页
/
共
49
页
一、光电成像器件的分类(成像原
理)
摄像器件 使光学图
像变成视频信号
(扫描型)
真空管摄像器件
-
光电型、热电型
固体摄像器件
摄像器件 使光学图像
增强或改变光谱
(非扫描型)
变像管
-
红外、紫外、
X
射线
像增强管
-
串联式、级联式、微通道板
式、
负电子亲和势像增强管
电荷传输型:
CCD
金属氧化物半导体型:
MOS
第
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ynuwnb2
2023-05-14
感谢资源主的分享,很值得参考学习,资源价值较高,支持!
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