自举电路
一、自居电容选取
对于一般高频开关电源类应用，小功率场合的下限基本在 0.1uf；功率大的场合，基本
在 0.47~2uf；对于宽范围的电机驱动，一般建议 10uf；特别场合，可以用到 22uf 以上。但
是一般不建议太大，因为初次充电的时候，对辅助电源有冲击。
二、工作过程
1. 初始状态（图 1）：MOS 管 S1、S2 全关断，自举二极管 D1 因高压而阻断。自居电容初
始状态为没电。
12V
VCC
D1
C1
S1
S2
A
图 1 初始状态
2. 充电状态（图 2）：低边 MOS 管 S2 导通，半桥中间点 A 电位被拉低，自举二极管 D1 导
通，自举电容 C1 通过辅助电源（12V）-自举二极管 D1-自举电容 C1 充电。
12V
VCC
D1
C1
S1
S2
A
OFF
ON
12V
VCC
D1
C1
S1
S2
A
OFF
ON
图 2 充电状态 图 3 放电状态
3. 放电状态（图 3）：低点 MOS 管 S2 关闭，高边驱动电路因得到电容 C1 供电而可以工作
了，高边 MOS 管可以响应控制信号而开启。自举二极管 D1 因承受高反压而关闭。
下一个时刻，继续执行步骤 1-2-3-1，如此循环，因此，自举电路模式是建立在 MOS 管
S1、S2 不停开关基础上。
总结
1）首次启动时，必须由下管 S2 首次开通，以给电容 C1 充电；
2）自举二极管 D1 反向恢复速度至少要能忍受半桥功率管产生的 dv/dt。
资源评论
