emmc读写操作技巧和一些名词释义_eMMC中SDR是什么意思资源-CSDN文库

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1 前言

1.1 声明

本文结合 eMMC JEDEC5.1 协议手册查看效果更佳。

1.2 本文背景

本文关键词不包括 emmc jedec5.1 协议第 3 章节：《Terms and definitions》内

容。关于 emmc 协议层的关键词，直接查阅 spec 相关章节即可，清晰明了，此

处没必要再列出。

1.3 参考链接

专用术语：

http://baijiahao.baidu.com/s?id=1639124942142820954&wfr=spider&for=pc

2 名词释义

ATA 盘

高技术配置（英语：Advanced Technology Attachment，简称“ATA”）与由集成

驱动电子设备（英语：Integrated Drive Electronics，简称 IDE）技术实现的磁

盘驱动器关系最密切。

Aging

老化

D-VDD

Positive supply voltage for a cache memory

D-VSS

Positive supply voltage ground for a cache memory

D-VDDQ

Positive supply voltage for a cache memory

VCCQ/VSSQ

Controller 的供电/接地

Spare Area / Redundant Area / OOB

nand flash 中每一页对应一块区域，用于存放校验的 ECC 数据和其他一些信息，

比如上层文件系统放的和自己文件系统相关的数据。这个区域，在 Linux MTD

相关系统中，被称作 oob（out of band），可以翻译为带外，也就是 nand flash

的一个页，可以称作一个 band，band 之外，对应的就是指那个多出来的，特殊

的区域了。而 nand flash 的 datasheet 中，一般成为 spare area，可译为空闲区

域，另外，在 ID 的含义解释中也叫做 redundant area，可译为冗余区域，归根

结底，都是一个含义。不要被搞糊涂了就好。

Level Cell

单个存储单元可以存储 2 位数据的，称作 2 的 2 次方＝4 Level Cell，而不是 2

Level Cell，关于这点，之前看 Nand flash 的数据手册（datasheet）的时候，差

点搞晕了。

所以说，2 level cell 为 SLC，8 level cell 为 TLC。

Bad Block Management

坏块管理，NandFlash 由于其物理特性,只有有限的擦写次数,超过那个次数,基

本上就是坏了。在使用过程中,有些 Nand Flash 的 block 会出现被用坏了,当发

现了,要及时将此 block 标注为坏块,不再使用。与此相关的管理工作,属于 Nand

Flash 的坏块管理的一部分工作。

Wear-Leveling

负载平衡，NandFlash 的 block 的管理,还包括负载平衡。

正是由于 Nand Flash 的 block,都是有一定寿命限制的,所以如果你每次都往同

一个 block 擦除然后写入数据,那么那个 block 就很容易被用坏了,所以我们要

去管理一下,将这么多次的对同一个 block 的操作,平均分布到其他一些 block

上面,使得在 block 的使用上,相对较平均,这样相对来说,可以更能充分利用

Nand Flash。

ECC

错误校验码。NandFlash 物理特性上使得其数据读写过程中会发生一定几率的

错误,所以要有个对应的错误检测和纠正的机制,于是才有此 ECC,用于数据错误

的检测与纠正。Nand Flash 的 ECC,常见的算法有海明码和 BCH,这类算法的实

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