"网络技术-系统集成-砷化镓微波单片集成电路研究"
微波单片集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuit，MMIC）是当前微波通信技术的核心组件之一。该技术的发展及其在通信系统中的应用对微波通信设备提出了高需求。本文研究了砷化镓（AlGaInP）微波单片集成电路的设计、制作和测试，涵盖了微波单片集成电路的各个方面，包括被动组件的设计、 MESFET 和 HBT 的工作原理、MMIC 的设计和制造流程等。
微波单片集成电路的优点在于体积小、重量轻、可靠性高、稳定性强等。该技术的应用将取代传统的波导系统和混合集成电路，在微波通信系统中扮演着越来越重要的角色。
本文首先介绍了微波单片集成电路的被动组件，包括电阻、电容和感抗器等。然后，介绍了 MESFET 和 HBT 的工作原理，并给出了 MESFET 等效电路的参数提取公式。同时，建立了双门 MESFET 的 PSPICE DC 模型，并验证了该模型的正确性。
在 MMIC 的设计和制造方面，本文研究了 MMIC 的主要工艺流程，设计了工艺控制掩模，获取了 MMIC 加工参数。这些参数为 GaAs MESFET MMIC 芯片的设计提供了重要的基础。
本文还设计了两种 MESFET MMIC 混频器，包括平衡双门 MESFET MMIC 混频器，该混频器是国内首次设计的。将三种混频器制成后，测量结果表明，三种混频器都具有 S 频段混频功能，各信号端口的隔离度约为 18~20dB。
此外，本文还进行了 AlGaInP/GaAs HBT 单片功率放大器的设计和优化，并对其进行了模拟和优化。得到的结果表明，HBT 单片功率放大器具有良好的性能，工作频率达到了 22GHz，最大振荡频率达到了 38GHz。在甲类工作状态下，工作频率为 2GHz，工作电压为 3V 时，IdB 功率压缩点输出功率为 25dBm，功率附加效率为 50%；工作电压为 10V 时，IdB 功率压缩点输出功率为 30dBm，功率附加效率为 64%。
本文的研究成果对微波单片集成电路的设计、制作和应用提供了重要的参考价值。
