米勒效应的影响:
MOSFET的栅极驱动过程, 可以简单的理解为驱动源对 MOSFET的输入电容 (主要
是栅源极电容 Cgs)的充放电过程;当 Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进
入开通状态;当 MOSFET开通后, Vds 开始下降, Id 开始上升,此时 MOSFET进
入饱和区;但由于米勒效应, Vgs 会持续一段时间不再上升,此时 Id 已经达到
最大,而 Vds还在继续下降, 直到米勒电容充满电, Vgs 又上升到驱动电压的值,
此时 MOSFET进入电阻区,此时 Vds 彻底降下来,开通结束。
由于米勒电容阻止了 Vgs 的上升,从而也就阻止了 Vds 的下降,这样就会使损
耗的时间加长。(Vgs 上升,则导通电阻下降,从而 Vds 下降)
米勒效应在 MOS驱动中臭名昭著, 他是由 MOS管的米勒电容引发的米勒效应, 在
MOS管开通过程中, GS电压上升到某一电压值后 GS电压有一段稳定值,过后 GS
电压又开始上升直至完全导通。 为什么会有稳定值这段呢?因为, 在 MOS开通前,
D极电压大于 G极电压, MOS寄生电容 Cgd储存的电量需要在其导通时注入 G极
与其中的电荷中和,因 MOS完全导通后 G极电压大于 D 极电压 。米勒效应会严
重增加 MOS的开通损耗。(MOS管不能很快得进入开关状态)
所以就出现了所谓的图腾驱动! !选择 MOS时,Cgd 越小开通损耗就越小。米勒
效应不可能完全消失。
MOSFET中的米勒平台实际上就是 MOSFET处于“放大区”的典型标志
用用示波器测量 GS电压,可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑,这就
是米勒平台。
米勒效应指在 MOS管开通过程会产生米勒平台 ,原理如下。
理论上驱动电路在 G级和 S 级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。 但此时开
关时间会拖的很长。一般推荐值加 0.1Ciess 的电容值是有好处的。
下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。
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