非易失性存储器耐久和数据保持试验方法（编制说明）.doc.doc
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2022-07-06
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国家标准报批资料
国家标准《非易失存储器耐久和数据保持试验方法》
（征求意见稿）编制说明
一、工作简况
1、任务来源
本项目任务来源为国家标准化管理委员会文件“国家标准委关于下达《半导
体集成电路外形尺寸》等 25 项国家标准制定计划的通知”（国标委综合〔2015〕
90 号）。项目计划代号为 20154237-T-339，主办单位为中国电子技术标准化研究
院。
2、主要工作过程
编制组首先收集了国内外相关标准资料，并进行了整理和分析。
对于非易失存储器耐久和数据保持的考核，目前国际上比较通用的标准是
JEDEC 的 JESD22-A117《电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）编程/擦除耐
久和数据保持应力试验》。该标准于 2000 年 1 月首次发布，至 2011 年 10 月已发
布至 JESD22-A117C 版。该标准主要针对 EEPROM 和 Flash 等非易失性存储器，
规定了擦写次数和数据保持能力的验证方法。此外，JEDEC 的 JESD47《集成电
路应力试验鉴定》中规定了鉴定时针对耐久和数据保持的考核方案，JESD47 至
2011 年 4 月已发布至 JESD47H.01 版。
AEC 的 AEC - Q100-005《非易失性存储器耐久、数据保持和工作寿命试验》
于 1994 年 6 月首次发布，至 2012 年 1 月已发布至 AEC - Q100-005 - REV-D1 版。
该标准同样规定了非易失性存储器耐久和数据保持的试验方法及考核方案。
美军标 MIL-STD-883《微电路试验方法标准》中的方法 1033《写/擦疲劳
寿命》也规定了非易失性存储器的擦写次数和数据保持能力的试验方法。方法
1033 是 1977 年加入到 MIL-STD-883 中的，至目前的 MIL-STD-883J 版一直未进
行修订。
我国的 GJB 548《微电子器件试验方法与程序》是参照 MIL-STD-883 制定
的，其中同样包括了方法 1033。但方法 1033 的规定较为笼统，缺少详细的试验
步骤和试验条件规定，可操作性不强，且随着存储器技术的不断发展，部分试验
要求已不再适用。
编制组根据对上述国内外相关标准资料的研究与分析，充分结合我国非易失
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