模拟电路复习提纲
第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结
* PN 结的接触电位差---硅材料约为 0.6~0.8V，锗材料约为 0.2~0.3V。
* PN 结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN 结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管 0.6~0.7V，锗管 0.2~0.3V。
*死区电压------硅管 0.5V，锗管 0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若 V
阳
>V
阴
( 正偏 )，二极管导通(短路);
若 V
阳
<V
阴
( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点 Q。
08 自动化一班 306 雄霸天下
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