《电子技术基础》一书主要介绍了电子技术中的基本概念，特别是关于半导体器件的特性，以二极管为例进行深入解析。在电子技术中，半导体扮演着至关重要的角色，因为它们的导电性能介于导体和绝缘体之间，可以通过多种方式改变其导电能力。
半导体材料主要有硅（Si）和锗（Ge），它们都具有晶体结构，原子间的电子通过共价键紧密结合。当受到温度、光照、外电场等因素的影响，这些电子可以获得足够的能量脱离共价键，形成自由电子，导致导电能力增强。此外，通过掺杂杂质可以显著改变半导体的导电性能，创造出两种类型的半导体：N型和P型。
1. N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素（如磷），会产生多余电子，这些电子成为多数载流子，而少量由本征激发产生的空穴则是少数载流子。
2. P型半导体：相反，掺入三价元素（如硼）会形成多余的空穴，成为多数载流子，而电子成为少数载流子。
这两种半导体的结合形成了PN结，这是半导体器件的核心部分。PN结具有单向导电性，当施加正向电压时，PN结导通，反之，施加反向电压时，PN结截止，这种特性使得二极管成为电子电路中的基本元件。
二极管通常由一个PN结组成，有两个电极和外壳，根据PN结的大小，分为点触型和面触型，分别适用于高频和低频电路。二极管的伏安特性显示，正向电压超过一定阈值（死区电压）后，二极管开始导通，硅管的死区电压大约为0.5伏，导通电压为0.7伏，而锗管的相应值分别为0.2伏和0.3伏。
二极管的重要参数包括：
1. 最大整流电流IOM：指二极管正向工作时能承受的最大电流。
2. 最大反向电压URM：保证二极管在反向工作时不被击穿的最高电压。
3. 最大反向电流IRM：在最大反向电压下，二极管的反向电流应非常小，但会受到温度的影响。
学习这些基础知识对于理解和应用电子技术至关重要，例如在电路分析、设计和故障排查中，二极管的特性是不可或缺的工具。通过理解半导体的工作原理和二极管的特性，我们可以更好地掌握电子技术的基础，为更高级的电路设计打下坚实的基础。
