NXP公司出品的LPC111x系列芯片，基于ARM Cortex-M0内核，专为低功耗和高效能应用设计。本手册详细介绍了LPC111x系列芯片中的功耗管理单元（PMU）的功能和相关寄存器配置方法。功耗管理单元是该系列芯片中一个非常重要的特性，它允许用户有效地控制和优化设备的能耗，延长电池寿命，适用于便携式设备和需要长期运行的应用场景。
在LPC111x系列芯片中，PMU支持多种低功耗模式，包括睡眠模式和深度掉电模式。睡眠模式是功耗较低的运行状态，在此模式下，处理器的主时钟关闭，但是RAM和寄存器保持其内容不变。深度掉电模式则是更低功耗状态，可以进一步降低芯片的静态功耗。在深度掉电模式下，芯片仅保留供电引脚供电的情况下，仍然可以维持通用寄存器中的数据。
手册中提到的四个通用寄存器GPREG0至GPREG3，这些寄存器在深度掉电模式下可以保存数据。这提供了方便，即使在掉电模式期间，这些寄存器中的数据也不会丢失。当从深度掉电模式中唤醒时，这些寄存器的内容可以被读取，从而继续之前的处理流程而无需重新初始化。这对于需要快速唤醒的应用场景至关重要，比如智能卡或远程传感器。
PMU的配置主要通过功耗控制寄存器（PCON）进行。PCON寄存器是可读写的寄存器，其地址为0x***。该寄存器包含几个关键位，用于控制功耗状态的切换。其中，DPDEN位（位1）用于控制是否允许进入深度掉电模式。当DPDEN被置为1时，执行WFI（Wait For Interrupt）指令会使得处理器进入深度掉电模式。而DPDEN为0时，WFI指令则会引导处理器进入标准睡眠模式，其中ARM Cortex-M0内核的时钟将被关闭。
DPDFLAG位（位11）是一个状态标志位，表示当前是否处于深度掉电模式。在读取时，此位可以用来判断是否进入了深度掉电状态；在写入时，此位用于清除深度掉电状态标志。如果需要根据深度掉电标志位的值进行特定操作，程序可以检查DPDFLAG位的值来决定是否执行该操作。
手册中还提供了一个寄存器概览表，列出了PMU模块的所有寄存器及其功能、偏移地址和复位值。其中，PCON寄存器外，还包括了GPREG0至GPREG4五个寄存器的详细信息。
值得一提的是，本手册提供的翻译由武汉理工大学UP团队友情提供，供学习交流之用。这表明NXP公司对教育和学术研究的支持，同时也鼓励更多的开发者和工程师能够了解和使用NXP的产品，推动了技术的普及和创新。
在实际应用中，对LPC111x系列芯片的功耗管理单元进行编程，需要根据应用场景的具体需求来合理配置睡眠模式和深度掉电模式。合理利用这些模式可以有效降低系统的能耗，延长设备的使用时间，尤其是在电池供电的便携式设备中。此外，由于文档是通过OCR扫描获得的部分内容，可能会有识别错误，所以理解和应用时，应参考官方发布的完整手册或与制造商取得联系以获得准确信息。
