STM32的FSMC扩展SRAM的时序测量及配

1.STM32F103的FSMC扩展SRAM时序介绍及测量 2.STM32F2/F4的FSMC扩展SRAM时序介绍及测量 3.IS61LV25616高速SRAM的时序配置 4.EM681FV16AU中速大容量SRAM的时序配置 在本文中，我们将详细探讨STM32微控制器通过FSMC（Flexible Static Memory Controller）扩展SRAM（Static Random Access Memory）的时序配置与测量。STM32是一系列Cortex-M微控制器产品线，广泛应用于嵌入式系统中。FSMC是STM32内部的一个模块，用于扩展外部存储器，特别是用于扩展SRAM的接口。 我们来看STM32F103系列微控制器的FSMC扩展SRAM时序介绍及测量。STM32F103微控制器支持不同的SRAM读写模式，文中提到了模式1和模式A两种。模式A允许对读写时序进行独立调整，而NOE（输出使能）信号将在地址建立延时之后才变为有效。在STM32的固件库中，默认使用的是模式A，模式1可以认为是不使用扩展模式时的默认状态。 FSMC扩展SRAM的基本时间单位由HCLK决定，即CPU的主时钟。地址建立时间（ADDSET）和数据建立时间（DATSET）是配置时序的关键参数。地址建立时间指的是地址信号在NOE或NWE（写使能）信号有效之前需要保持稳定的时钟周期数，而数据建立时间则是数据在NWE信号有效之前需要稳定的时间。这些参数加上HCLK周期数，可以计算出最短的读取和写入时间。 具体到STM32F103微控制器，最短读取时间为5个HCLK周期，最短写入时间为3个HCLK周期。时序配置完成后，可以通过测量CPU访问和DMA（Direct Memory Access）访问的方式来验证时序的准确性与性能。作者通过实际的测量图例展示了8位、16位和32位不同位宽下的读写操作时序。 针对STM32F2/F4系列微控制器的FSMC扩展SRAM时序介绍及测量部分，虽然文档内容中未提供详细信息，但可以推断出STM32F2/F4系列由于其较高的主频和先进的性能，其时序配置会更为复杂，可能支持更高速率的SRAM配置和读写性能。 关于SRAM本身的时序配置，文中提到了两种不同的SRAM芯片：IS61LV25616高速SRAM和EM681FV16AU中速大容量SRAM。这些SRAM芯片各自有不同的时序参数，如最小地址保持时间、数据保持时间等，它们需要在STM32的FSMC接口上进行适当的配置以匹配其时序要求。时序配置的好坏直接影响到系统的稳定性和性能。 在介绍IS61LV25616高速SRAM时序配置时，通常需要考虑到它的高速特性，并根据其数据手册提供的参数进行配置。高速SRAM在高速读写时对时序要求更为严格，因此在配置FSMC时，需要特别注意其读写周期、地址和数据保持时间等因素。 而针对EM681FV16AU中速大容量SRAM的时序配置，则可能需要考虑其更大的容量以及可能带来的访问延迟。中速SRAM在设计时通常注重于平衡成本和性能，因此其时序配置要确保在合理成本下实现最佳的读写性能。 总结来说，STM32通过FSMC扩展SRAM涉及到了微控制器与存储器之间的精确时序匹配。为了确保系统的稳定运行和高性能表现，需要对FSMC的各种参数进行仔细配置，并通过实测进行验证。这包括了合理设置FSMC的读写时序参数、选择合适的位宽访问方式以及根据SRAM的具体规格来配置时序参数。时序配置和测量是嵌入式系统设计中的一个关键环节，直接关系到最终产品的性能和可靠性。