海思芯片4G-ddr配置方法.pdf
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2023-12-31
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4G ddr 在海思芯片配置方法
一、3531、3521、3520A 用三星 4Gddr
以三星的颗粒为例，使用 4G 的 ddr，需要修改 uboot 下的 execel 表两个寄存器，然后重新
生成 uboot：
1. 先配置行列数和 bank 数
DDRC_RNKCFG 0x2c 0x142
0
write 31
2.Timing1 计算
该值计算，比如，3531 上计算如下：
以下是三星手册参数：
由 CPU:AXI:DDR=930_310_620，时钟周期为：3.22580645ns（310M，1:1 和 1:2 的情况下安
照 axi 的频率来计算）
300ns/3.22580645ns=93.000000046 个周期，进一，得 94，化为 16 进制为：0x5e；
二、3520D 上用 SKhynix H5TQ4G63AFR 为例：
1. 先配置行列数和 bank 数，如果你们使用的是 16bit ddr，那么 bank=8，行地址数=15，列
地址数=10. 故 execl 表格中的值配为 142
DDRC_RNKCF
G
0x2c 0x142
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