mtk中NVRAM的读写方法

NVRAM 的读写方法 NVRAM 的添加方法 以闹钟INLINE 菜单为例 步骤如下： 1.在Nvram_common_defs.h 文件中添加LID 选项到nvram_lid_co mmapp_enum 枚举中 NVRAM_EF_MY_LID, /* Add LID with its compile optoin in the tail comment */ NVRAM_EF_LAST_LID_COMMAPP } nvram_lid_commapp_enum; 在MTK平台中，NVRAM（Non-Volatile Random Access Memory）是一种持久性的存储机制，用于存储不依赖电源保持的数据。本文将详细讲解如何在MTK系统中进行NVRAM的读写操作以及如何添加新的NVRAM数据项。 我们要了解NVRAM的基本操作。读写NVRAM主要通过`ReadValue`和`WriteValue`函数来完成。这些函数允许程序读取或修改存储在NVRAM中的特定数据项。在初始化任务代码中，`nvram_external_read_data`函数用于从NVRAM中读取数据，而修改后的数据需要调用相应的函数进行更新，并可能需要同步更新编译版本号。 添加新的NVRAM数据项涉及以下步骤： 1. **定义LID**：在`Nvram_common_defs.h`文件中，你需要在`nvram_lid_commapp_enum`枚举中添加一个新的LID（逻辑ID）。例如，`NVRAM_EF_MY_LID`表示你自定义的LID，通常会在注释中提供编译选项。 2. **定义数据项**：在`nvram_user_defs.h`文件中，你需要定义新数据项的LID、大小(SIZE)和总数(TOTAL)。对于“linear-fixed”类型，TOTAL是记录总数，SIZE是每个记录的大小；而对于“transparent”类型，TOTAL通常是1，SIZE是整个区块的大小。注意，SIZE必须是偶数对齐，这是由于Flash设备驱动的要求。 3. **创建记录**：在`logical_data_item_table_cust`结构体数组中，按照LID、SIZE、TOTAL和默认值（通常是`NVRAM_EF_ZERO_DEFAULT`或`NVRAM_EF_FF_DEFAULT`）的顺序添加新的记录。确保匹配VER字段与对应的版本号宏。 4. **默认值**：将默认值存储在一个全局数组中，并将其引用添加到`custpack_nvram_ptr`，确保顺序与数据项定义一致。 5. **初始化和更新**：在代码执行时，使用`ReadValue`和`WriteValue`函数读写NVRAM。在任务初始化时，调用`nvram_external_read_data`读取数据，修改后需更新并可能需要调整编译版本号。 注意事项： - 数据项的SIZE应为偶数且不超过65535，以满足Flash设备驱动的要求。 - “linear-fixed”类型的记录数最大为65535，但实际可用数量可能因Flash空间限制而减少。 - 为了安全，建议设置如下的限制：SIZE最大480，TOTAL最大300，用户可配置的数据项最大25。 在与NVRAM交互的原语中，需要注意以下几点： 1. 对于透明数据项，发送读/写请求时，'para'域必须设为1。 2. 写入数据的大小(size)应与`nvram_user_config.c`中定义的数据项大小相匹配。 3. 读/写确认原语的'result'域应为`NVRAM_ERRNO_OK`，表示操作成功。 MTK平台中NVRAM的管理涉及到多个步骤，包括定义LID、数据项大小和总数，设置默认值，以及在代码中正确地读写和初始化这些数据项。理解并遵循这些规则是确保NVRAM数据正确存储和访问的关键。